Plaquettes SOI

Brève description:

La plaquette SOI est une structure de type sandwich à trois couches ;Y compris la couche supérieure (couche de dispositif), le milieu de la couche d'oxygène enterrée (pour la couche isolante de SiO2) et le substrat inférieur (silicium en vrac).Les tranches SOI sont produites à l'aide de la méthode SIMOX et de la technologie de liaison de tranches, qui permettent d'obtenir des couches de dispositif plus fines et plus précises, une épaisseur uniforme et une faible densité de défauts.

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Détail du produit

Mots clés du produit

Plaquettes SOI(1)

Champ d'application

1. Circuit intégré à grande vitesse

2. Appareils à micro-ondes

3. Circuit intégré haute température

4. Appareils électriques

5. Circuit intégré de faible puissance

6. MEMS

7. Circuit intégré basse tension

Article		Argument
Dans l'ensemble	Diamètre de la plaquette Dimensions (mm)	50/75/100/125/150/200 mm ± 25 um
	Arc/chaîne 翘曲度(	<10um
	Particules 颗粒度(	0,3 um < 30 unités
	Plats/Encoche 定位边/定位槽	Plat ou cranté
	Exclusion de bord Dimensions (mm)	/
Couche de périphérique 器件层	Type de couche de dispositif/dopant 器件层掺杂类型	Type N/Type P B/P/Sb/As
	Orientation de la couche périphérique 器件层晶向	<1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0>
	Épaisseur de la couche de périphérique 器件层厚度(euh)	0,1 ~ 300 um
	Résistivité de la couche périphérique 器件层电阻率(ohm•cm)	0,001 ~ 100 000 ohm-cm
	Particules de couche périphérique 器件层颗粒度(	<30ea@0.3
	TTV de la couche de périphérique 器件层TTV(	<10um
	Finition de la couche de périphérique 器件层表面处理	Brillant
BOÎTE	Épaisseur d'oxyde thermique enterrée 埋氧层厚度(euh)	50 nm (500 Å) ~ 15 um
Couche de poignée 衬底	Type de plaquette de poignée/dopant 衬底层类型	Type N/Type P B/P/Sb/As
	Orientation de la plaquette de la poignée 衬底晶向	<1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0>
	Gérer la résistivité des plaquettes 衬底电阻率(ohm•cm)	0,001 ~ 100 000 ohm-cm
	Épaisseur de la plaquette de poignée 衬底厚度(euh)	>100 um
	Finition de la poignée 衬底表面处理	Brillant
Les plaquettes SOI répondant aux spécifications cibles peuvent être personnalisées en fonction des exigences du client.