Plateau MOCVD à revêtement SiC de haute pureté anti-oxydation

Brève description :

Semicera Energy Technology Co., Ltd. est un fournisseur leader spécialisé dans les consommables de plaquettes et de semi-conducteurs avancés.Nous nous engageons à fournir des produits de haute qualité, fiables et innovants à la fabrication de semi-conducteurs,industrie photovoltaïqueet d'autres domaines connexes.

Notre gamme de produits comprend des produits en graphite revêtus de SiC/TaC et des produits céramiques, englobant divers matériaux tels que le carbure de silicium, le nitrure de silicium et l'oxyde d'aluminium, etc.

En tant que fournisseur de confiance, nous comprenons l'importance des consommables dans le processus de fabrication et nous nous engageons à fournir des produits répondant aux normes de qualité les plus élevées pour répondre aux besoins de nos clients.

 

Détail du produit

Mots clés du produit

Description

Notre entreprise fournitRevêtement SiCtraiter les services par méthode CVD sur la surface du graphite, de la céramique et d'autres matériaux, de sorte que des gaz spéciaux contenant du carbone et du silicium réagissent à haute température pour obtenir des molécules de SiC de haute pureté, des molécules déposées sur la surface des matériaux revêtus, formant unCouche de protection SiC.

 

Principales caractéristiques

1. Résistance à l’oxydation à haute température :
la résistance à l'oxydation est encore très bonne lorsque la température atteint 1600 C.
2. Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur dans des conditions de chloration à haute température.
3. Résistance à l'érosion : dureté élevée, surface compacte, particules fines.
4. Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC

Propriétés SiC-CVD
Structure cristalline Phase β du FCC
Densité g/cm³ 3.21
Dureté Dureté Vickers 2500
Taille des grains µm 2~10
Pureté chimique % 99.99995
Capacité thermique J·kg-1 ·K-1 640
Température de sublimation 2700
Force de flexion MPa (RT 4 points) 415
Module de Young Gpa (courbure 4pt, 1300℃) 430
Expansion thermique (CTE) 10-6K-1 4.5
Conductivité thermique (W/mK) 300
PIÈCES ÉPITAXIALES MOCVD
Disque MOCVD

Équipement

à propos

Lieu de travail Semicera
Lieu de travail Semicera 2
Machine d'équipement
Traitement CNN, nettoyage chimique, revêtement CVD
Entrepôt Semicera
Notre prestation

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