Notre entreprise fournitRevêtement SiCservices de traitement sur la surface du graphite, de la céramique et d'autres matériaux par méthode CVD, de sorte que des gaz spéciaux contenant du carbone et du silicium puissent réagir à haute température pour obtenir des molécules Sic de haute pureté, qui peuvent être déposées sur la surface des matériaux revêtus pour former unCouche de protection SiCpour épitaxie de type baril hy pnotique.
Caractéristiques principales:
1. Graphite enduit de SiC de haute pureté
2. Résistance thermique supérieure et uniformité thermique
3. BienRevêtement en cristal SiCpour une surface lisse
4. Haute durabilité contre le nettoyage chimique
Principales spécifications deRevêtement CVD-SIC
| Propriétés SiC-CVD | ||
| Structure en cristal | Phase β du FCC | |
| Densité | g/cm³ | 3.21 |
| Dureté | Dureté Vickers | 2500 |
| Taille d'un grain | µm | 2~10 |
| Pureté chimique | % | 99.99995 |
| Capacité thermique | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Température de sublimation | ℃ | 2700 |
| Force de flexion | MPa (RT 4 points) | 415 |
| Module d'Young | Gpa (courbure 4pt, 1300℃) | 430 |
| Expansion thermique (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Conductivité thermique | (W/mK) | 300 |
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