19 pièces de pièces d'équipement MOCVD à base de graphite de 2 pouces

Brève description :

Introduction et utilisation du produit : placez 19 morceaux de substrat 2 fois pour la croissance du film épitaxial LED ultraviolet profond

Localisation du produit : dans la chambre de réaction, en contact direct avec la plaquette

Principaux produits en aval : puces LED

Marché final principal : LED

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Détail du produit

Mots clés du produit

Description

Notre entreprise fournitRevêtement SiCservices de traitement par méthode CVD sur la surface du graphite, de la céramique et d'autres matériaux, de sorte que des gaz spéciaux contenant du carbone et du silicium réagissent à haute température pour obtenir des molécules de SiC de haute pureté, des molécules déposées sur la surface des matériaux revêtus, formantCouche de protection SiC.

Principales caractéristiques

1. Résistance à l’oxydation à haute température :
la résistance à l'oxydation est encore très bonne lorsque la température atteint 1600 C.
2. Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur dans des conditions de chloration à haute température.
3. Résistance à l'érosion : dureté élevée, surface compacte, particules fines.
4. Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC

Propriétés SiC-CVD
Structure cristalline	Phase β du FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille des grains	µm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J·kg-1 ·K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force de flexion	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (courbure 4pt, 1300℃)	430
Expansion thermique (CTE)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300