Champ d'application
1. Circuit intégré à grande vitesse
2. Appareils à micro-ondes
3. Circuit intégré haute température
4. Appareils électriques
5. Circuit intégré de faible puissance
6. MEMS
7. Circuit intégré basse tension
Article | Argument | |
Dans l'ensemble | Diamètre de la plaquette | 50/75/100/125/150/200 mm ± 25 um |
Arc/chaîne | <10um | |
Particules | 0,3 um < 30 unités | |
Plats/Encoche | Plat ou cranté | |
Exclusion de bord | / | |
Couche de périphérique | Type de couche de dispositif/dopant | Type N/Type P |
Orientation de la couche périphérique | <1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0> | |
Épaisseur de la couche de périphérique | 0,1 ~ 300 um | |
Résistivité de la couche périphérique | 0,001 ~ 100 000 ohm-cm | |
Particules de couche périphérique | <30ea@0.3 | |
TTV de la couche de périphérique | <10um | |
Finition de la couche de périphérique | Brillant | |
BOÎTE | Épaisseur d'oxyde thermique enterrée | 50 nm (500 Å) ~ 15 um |
Couche de poignée | Type de plaquette de poignée/dopant | Type N/Type P |
Orientation de la plaquette de la poignée | <1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0> | |
Gérer la résistivité des plaquettes | 0,001 ~ 100 000 ohm-cm | |
Épaisseur de la plaquette de poignée | >100 um | |
Finition de la poignée | Brillant | |
Les plaquettes SOI répondant aux spécifications cibles peuvent être personnalisées en fonction des exigences du client. |