Suscepteur en graphite avec revêtement en carbure de silicium, plateau en baril

Suscepteur en graphite avec revêtement en carbure de silicium, plateau de baril Image descriptive

Brève description:

Semicera propose une gamme complète de suscepteurs et de composants en graphite conçus pour divers réacteurs d'épitaxie.

Grâce à des partenariats stratégiques avec des équipementiers leaders du secteur, une vaste expertise en matériaux et des capacités de fabrication avancées, Semicera propose des conceptions sur mesure pour répondre aux exigences spécifiques de votre application.Notre engagement envers l’excellence garantit que vous recevez des solutions optimales pour vos besoins en réacteur d’épitaxie.

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Détail du produit

Mots clés du produit

Description

Notre société fournit des services de processus de revêtement SiC par méthode CVD sur la surface du graphite, de la céramique et d'autres matériaux, de sorte que des gaz spéciaux contenant du carbone et du silicium réagissent à haute température pour obtenir des molécules SiC de haute pureté, des molécules déposées à la surface des matériaux revêtus, formant une couche protectrice SIC.

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Caractéristiques principales

1. Graphite enduit de SiC de haute pureté

2. Résistance thermique supérieure et uniformité thermique

3. Cristal SiC fin recouvert pour une surface lisse

4. Haute durabilité contre le nettoyage chimique

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC

Propriétés SiC-CVD
Structure en cristal	Phase β du FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille d'un grain	µm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J·kg-1 ·K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force de flexion	MPa (RT 4 points)	415
Module d'Young	Gpa (courbure 4pt, 1300℃)	430
Expansion thermique (CTE)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300