Disque en carbure de silicium pour MOCVD

LeDisque en carbure de siliciumpour MOCVD de semicera, une solution haute performance conçue pour une efficacité optimale dans les processus de croissance épitaxiale. Le disque en carbure de silicium semicera offre une stabilité thermique et une précision exceptionnelles, ce qui en fait un composant essentiel dans les processus d'épitaxie Si et SiC. Conçu pour résister aux températures élevées et aux conditions exigeantes des applications MOCVD, ce disque garantit des performances et une longévité fiables.

Notre disque en carbure de silicium est compatible avec une large gamme de configurations MOCVD, notammentSuscepteur MOCVDsystèmes et prend en charge des processus avancés tels que GaN sur SiC Epitaxy. Il s'intègre également facilement aux systèmes PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier et RTP Carrier, améliorant ainsi la précision et la qualité de votre production de fabrication. Qu'il soit utilisé pour la production de silicium monocristallin ou pour les applications de suscepteur épitaxial LED, ce disque garantit des résultats exceptionnels.

De plus, le disque en carbure de silicium de Semicera est adaptable à diverses configurations, y compris les configurations de suscepteur de crêpes et de suscepteur de baril, offrant une flexibilité dans divers environnements de fabrication. L'inclusion de pièces photovoltaïques étend encore son application aux industries de l'énergie solaire, ce qui en fait un composant polyvalent et indispensable pour les entreprises modernes.épitaxialecroissance et fabrication de semi-conducteurs.