Description
Notre entreprise fournitRevêtement SiCservices de traitement par méthode CVD sur la surface du graphite, de la céramique et d'autres matériaux, de sorte que des gaz spéciaux contenant du carbone et du silicium réagissent à haute température pour obtenir des molécules de SiC de haute pureté, des molécules déposées sur la surface des matériaux revêtus, formantCouche de protection SIC.
Caractéristiques principales
1. Résistance à l’oxydation à haute température :
la résistance à l'oxydation est encore très bonne lorsque la température atteint 1600 C.
2. Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur dans des conditions de chloration à haute température.
3. Résistance à l'érosion : dureté élevée, surface compacte, particules fines.
4. Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.
Principales spécifications du revêtement CVD-SIC
| Propriétés SiC-CVD | ||
| Structure en cristal | Phase β du FCC | |
| Densité | g/cm³ | 3.21 |
| Dureté | Dureté Vickers | 2500 |
| Taille d'un grain | µm | 2~10 |
| Pureté chimique | % | 99.99995 |
| Capacité thermique | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Température de sublimation | ℃ | 2700 |
| Force de flexion | MPa (RT 4 points) | 415 |
| Module d'Young | Gpa (courbure 4pt, 1300℃) | 430 |
| Expansion thermique (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Conductivité thermique | (W/mK) | 300 |
-
Suscepteur de baril recouvert de carbure de silicium
-
Chauffage en graphite à revêtement SIC longue durée pour MOCVD...
-
Carbure de tantale poreux, matériau de champ chaud pour...
-
36 pièces de base en graphite de 4 pouces MOCVD équipées...
-
Suscepteur en graphite avec revêtement en carbure de silicium...
-
Baril de réacteur épitaxial recouvert de carbure de silicium