Support de plaquette GAN Epi caoté SiC

Image présentée par SiC Caoted GAN Epi Wafer Carrier

Brève description :

Le support de plaquette GaN Epi à revêtement SiC de Semicera Semiconductor offre une durabilité et une stabilité thermique exceptionnelles pour les processus d'épitaxie GaN. Faites confiance à Semicera pour des supports hautes performances dotés d'une technologie avancée de revêtement SiC, conçus pour optimiser la manipulation de vos plaquettes et améliorer l'efficacité.

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Détail du produit

Mots clés du produit

Description

Le support d'épitaxie Semicera GaN est méticuleusement conçu pour répondre aux exigences strictes de la fabrication moderne de semi-conducteurs. Basé sur des matériaux de haute qualité et une ingénierie de précision, ce support se distingue par ses performances et sa fiabilité exceptionnelles. L'intégration du revêtement en carbure de silicium (SiC) par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) garantit une durabilité, une efficacité thermique et une protection supérieures, ce qui en fait un choix privilégié pour les professionnels de l'industrie.

Principales fonctionnalités

1. Durabilité exceptionnelleLe revêtement CVD SiC du GaN Epitaxy Carrier améliore sa résistance à l'usure, prolongeant considérablement sa durée de vie opérationnelle. Cette robustesse garantit des performances constantes même dans des environnements de fabrication exigeants, réduisant ainsi le besoin de remplacements et de maintenance fréquents.

2. Efficacité thermique supérieureLa gestion thermique est essentielle dans la fabrication de semi-conducteurs. Les propriétés thermiques avancées du GaN Epitaxy Carrier facilitent une dissipation efficace de la chaleur, maintenant des conditions de température optimales pendant le processus de croissance épitaxiale. Cette efficacité améliore non seulement la qualité des tranches semi-conductrices, mais améliore également l’efficacité globale de la production.

3. Capacités de protectionLe revêtement SiC offre une forte protection contre la corrosion chimique et les chocs thermiques. Cela garantit que l'intégrité du support est maintenue tout au long du processus de fabrication, en protégeant les matériaux semi-conducteurs délicats et en améliorant le rendement global et la fiabilité du processus de fabrication.