Semi-conducteur Semicera propose des produits à la pointe de la technologieCristaux de SiCcultivé à l'aide d'un système hautement efficaceMéthode PVT. En utilisantCVD-SiCblocs régénératifs comme source de SiC, nous avons atteint un taux de croissance remarquable de 1,46 mm h−1, garantissant une formation de cristaux de qualité supérieure avec de faibles densités de microtubules et de dislocations. Ce procédé innovant garantit des performances élevéesCristaux de SiCadapté aux applications exigeantes de l'industrie des semi-conducteurs de puissance.
Paramètre du cristal SiC (spécification)
- Méthode de culture : Transport Physique de Vapeur (PVT)
- Taux de croissance : 1,46 mm h−1
- Qualité des cristaux : élevée, avec de faibles densités de microtubules et de luxations
- Matériau : SiC (carbure de silicium)
- Application : Applications haute tension, haute puissance et haute fréquence
Fonctionnalité et application du cristal SiC
Semi-conducteur Semicera's Cristaux de SiCsont idéales pourapplications semi-conductrices hautes performances. Le matériau semi-conducteur à large bande interdite est parfait pour les applications haute tension, haute puissance et haute fréquence. Nos cristaux sont conçus pour répondre aux normes de qualité les plus strictes, garantissant fiabilité et efficacité dansapplications des semi-conducteurs de puissance.
Détails du cristal SiC
Utiliser du écraséBlocs CVD-SiCcomme matériau source, notreCristaux de SiCprésentent une qualité supérieure par rapport aux méthodes conventionnelles. Le processus PVT avancé minimise les défauts tels que les inclusions de carbone et maintient des niveaux de pureté élevés, ce qui rend nos cristaux parfaitement adaptés àprocédés semi-conducteursexigeant une extrême précision.
