Plaquettes GaAs| Plaquettes GaAs Epi|Substrats d'arséniure de gallium

Plaquettes GaAs| Plaquettes GaAs Epi|Image de présentation des substrats en arséniure de gallium

Brève description:

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. est un fournisseur leader spécialisé dans les consommables de plaquettes et de semi-conducteurs avancés.Nous nous engageons à fournir des produits de haute qualité, fiables et innovants à la fabrication de semi-conducteurs, à l'industrie photovoltaïque et à d'autres domaines connexes.

Notre gamme de produits comprend des produits en graphite revêtus de SiC/TaC et des produits céramiques, englobant divers matériaux tels que le carbure de silicium, le nitrure de silicium et l'oxyde d'aluminium, etc.

À l'heure actuelle, nous sommes le seul fabricant à fournir un revêtement SiC d'une pureté de 99,9999 % et du carbure de silicium recristallisé à 99,9 %.La longueur maximale du revêtement SiC que nous pouvons faire est de 2640 mm.

Envoyez-nous un e-mail

Détail du produit

Mots clés du produit

Les substrats GaAs sont divisés en conducteurs et semi-isolants, qui sont largement utilisés dans les lasers (LD), les diodes électroluminescentes (LED) à semi-conducteurs, les lasers proche infrarouge, les lasers haute puissance à puits quantiques et les panneaux solaires à haut rendement.Puces HEMT et HBT pour ordinateurs et communications optiques radar, micro-ondes, à ondes millimétriques ou ultra-rapides ;Appareils radiofréquence pour communication sans fil, 4G, 5G, communication par satellite, WLAN.

Récemment, les substrats en arséniure de gallium ont également fait de grands progrès dans les mini-LED, les micro-LED et les LED rouges, et sont largement utilisés dans les appareils portables AR/VR.

Diamètre 晶片直径	50 mm \|75 mm \|100 mm \|150mm
Méthode de croissance 生长方式	LEC液封直拉法 VGF垂直梯度凝固法
Épaisseur de la plaquette 厚度	350 um ~ 625 um
Orientation 晶向	<100> / <111> / <110> ou autres
Type conducteur 导电类型	Type P / Type N / Semi-isolant
Type/Dopant 掺杂剂	Zn / Si / non dopé
Concentration de transporteur 载流子浓度	1E17 ~ 5E19 cm-3
Résistivité à TA 室温电阻率(ohm•cm)	≥1E7 pour SI
Mobilité 迁移率(cm2/V•Sec)	≥4000
EPD (densité de la fosse de gravure) 腐蚀坑密度	100~1E5
TTV 总厚度变化	≤ 10 um
Arc / Chaîne 翘曲度	≤ 20 um
Finition de surface 表面	DSP/SSP
Marquage laser 激光码
Grade 等级	Qualité polie épi / qualité mécanique