Semicera est fier de présenter leGa2O3Substrat, un matériau de pointe en passe de révolutionner l'électronique de puissance et l'optoélectronique.Oxyde de gallium (Ga2O3) substratssont connus pour leur bande interdite ultra large, ce qui les rend idéaux pour les appareils haute puissance et haute fréquence.
Principales caractéristiques :
• Bande interdite ultra-large : Ga2O3 offre une bande interdite d'environ 4,8 eV, améliorant considérablement sa capacité à gérer des tensions et des températures élevées par rapport aux matériaux traditionnels comme le silicium et le GaN.
• Tension de claquage élevée : Avec un champ de claquage exceptionnel, leGa2O3Substratest parfait pour les appareils nécessitant un fonctionnement à haute tension, garantissant une plus grande efficacité et fiabilité.
• Stabilité thermique : La stabilité thermique supérieure du matériau le rend adapté aux applications dans des environnements extrêmes, conservant ses performances même dans des conditions difficiles.
• Applications polyvalentes : idéal pour une utilisation dans les transistors de puissance à haut rendement, les dispositifs optoélectroniques UV, et bien plus encore, fournissant une base solide pour les systèmes électroniques avancés.
Découvrez l'avenir de la technologie des semi-conducteurs avec SemiceraGa2O3Substrat. Conçu pour répondre aux demandes croissantes de l’électronique haute puissance et haute fréquence, ce substrat établit une nouvelle norme en matière de performances et de durabilité. Faites confiance à Semicera pour fournir des solutions innovantes pour vos applications les plus difficiles.
| Articles | Production | Recherche | Factice |
| Paramètres du cristal | |||
| Polytype | 4H | ||
| Erreur d'orientation de la surface | <11-20 >4±0,15° | ||
| Paramètres électriques | |||
| Dopant | Azote de type n | ||
| Résistivité | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Paramètres mécaniques | |||
| Diamètre | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Épaisseur | 350 ± 25 μm | ||
| Orientation principale à plat | [1-100]±5° | ||
| Longueur à plat primaire | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Appartement secondaire | Aucun | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arc | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Chaîne | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosité avant (face Si) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
| Structure | |||
| Densité des microtubes | <1 pièce/cm2 | <10 pièce/cm2 | <15 pièce/cm2 |
| Impuretés métalliques | ≤5E10atomes/cm2 | NA | |
| TPB | ≤1500 pièce/cm2 | ≤3000 pièce/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 pièce/cm2 | ≤1000 pièce/cm2 | NA |
| Qualité avant | |||
| Devant | Si | ||
| Finition superficielle | Si-face CMP | ||
| Particules | ≤60ea/plaquette (taille≥0,3μm) | NA | |
| Rayures | ≤5 unités/mm. Longueur cumulée ≤Diamètre | Longueur cumulée≤2*Diamètre | NA |
| Peau d'orange/piqûres/taches/striations/fissures/contamination | Aucun | NA | |
| Copeaux de bord/empreintes/fracture/plaques hexagonales | Aucun | ||
| Zones polytypes | Aucun | Superficie cumulée≤20 % | Superficie cumulée≤30 % |
| Marquage laser frontal | Aucun | ||
| Retour Qualité | |||
| Finition arrière | CMP face C | ||
| Rayures | ≤5ea/mm, longueur cumulée≤2*Diamètre | NA | |
| Défauts arrière (éclats de bord/empreintes) | Aucun | ||
| Rugosité du dos | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
| Marquage laser au dos | 1 mm (à partir du bord supérieur) | ||
| Bord | |||
| Bord | Chanfreiner | ||
| Conditionnement | |||
| Conditionnement | Epi-ready avec emballage sous vide Conditionnement de cassettes multi-wafers | ||
| *Remarques : « NA » signifie aucune demande. Les éléments non mentionnés peuvent faire référence à SEMI-STD. | |||
