Semicerapropose fièrementGa2O3Épitaxie, une solution de pointe conçue pour repousser les limites de l'électronique de puissance et de l'optoélectronique. Cette technologie épitaxiale avancée exploite les propriétés uniques de l'oxyde de gallium (Ga2O3) pour offrir des performances supérieures dans les applications exigeantes.
Principales caractéristiques :
• Large bande interdite exceptionnelle: Ga2O3Épitaxiedispose d'une bande interdite ultra large, permettant des tensions de claquage plus élevées et un fonctionnement efficace dans des environnements à haute puissance.
•Conductivité thermique élevée: La couche épitaxiale offre une excellente conductivité thermique, garantissant un fonctionnement stable même dans des conditions de température élevée, ce qui la rend idéale pour les appareils haute fréquence.
•Qualité supérieure des matériaux: Obtenez une qualité cristalline élevée avec un minimum de défauts, garantissant des performances et une longévité optimales de l'appareil, en particulier dans les applications critiques telles que les transistors de puissance et les détecteurs UV.
•Polyvalence dans les applications: Parfaitement adapté à l'électronique de puissance, aux applications RF et à l'optoélectronique, fournissant une base fiable pour les dispositifs à semi-conducteurs de nouvelle génération.
Découvrez le potentiel deGa2O3Épitaxieavec les solutions innovantes de Semicera. Nos produits épitaxiaux sont conçus pour répondre aux normes de qualité et de performance les plus élevées, permettant à vos appareils de fonctionner avec une efficacité et une fiabilité maximales. Choisissez Semicera pour une technologie de pointe en matière de semi-conducteurs.
| Articles | Production | Recherche | Factice |
| Paramètres du cristal | |||
| Polytype | 4H | ||
| Erreur d'orientation de la surface | <11-20 >4±0,15° | ||
| Paramètres électriques | |||
| Dopant | Azote de type n | ||
| Résistivité | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Paramètres mécaniques | |||
| Diamètre | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Épaisseur | 350 ± 25 μm | ||
| Orientation principale à plat | [1-100]±5° | ||
| Longueur à plat primaire | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Appartement secondaire | Aucun | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arc | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Chaîne | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosité avant (face Si) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
| Structure | |||
| Densité des microtubes | <1 pièce/cm2 | <10 pièce/cm2 | <15 pièce/cm2 |
| Impuretés métalliques | ≤5E10atomes/cm2 | NA | |
| TPB | ≤1500 pièce/cm2 | ≤3000 pièce/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 pièce/cm2 | ≤1000 pièce/cm2 | NA |
| Qualité avant | |||
| Devant | Si | ||
| Finition superficielle | Si-face CMP | ||
| Particules | ≤60ea/plaquette (taille≥0,3μm) | NA | |
| Rayures | ≤5 unités/mm. Longueur cumulée ≤Diamètre | Longueur cumulée≤2*Diamètre | NA |
| Peau d'orange/piqûres/taches/striations/fissures/contamination | Aucun | NA | |
| Copeaux de bord/empreintes/fracture/plaques hexagonales | Aucun | ||
| Zones polytypes | Aucun | Superficie cumulée≤20 % | Superficie cumulée≤30 % |
| Marquage laser frontal | Aucun | ||
| Retour Qualité | |||
| Finition arrière | CMP face C | ||
| Rayures | ≤5ea/mm, longueur cumulée≤2*Diamètre | NA | |
| Défauts arrière (éclats de bord/empreintes) | Aucun | ||
| Rugosité du dos | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
| Marquage laser au dos | 1 mm (à partir du bord supérieur) | ||
| Bord | |||
| Bord | Chanfreiner | ||
| Conditionnement | |||
| Conditionnement | Epi-ready avec emballage sous vide Conditionnement de cassettes multi-wafers | ||
| *Remarques : « NA » signifie aucune demande. Les éléments non mentionnés peuvent faire référence à SEMI-STD. | |||
