Introduction au revêtement en carbure de silicium
Notre revêtement en carbure de silicium (SiC) par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est une couche très durable et résistante à l'usure, idéale pour les environnements exigeant une résistance élevée à la corrosion et à la chaleur.Revêtement en carbure de siliciumest appliqué en couches minces sur divers substrats grâce au processus CVD, offrant des caractéristiques de performance supérieures.
Principales fonctionnalités
● -Pureté exceptionnelle: Bénéficiant d'une composition ultra-pure de99,99995%, notreRevêtement SiCminimise les risques de contamination dans les opérations sensibles sur les semi-conducteurs.
● -Résistance supérieure: Présente une excellente résistance à l’usure et à la corrosion, ce qui le rend parfait pour les réglages chimiques et plasma difficiles.
● -Haute conductivité thermique: Assure des performances fiables sous des températures extrêmes grâce à ses propriétés thermiques exceptionnelles.
● -Stabilité dimensionnelle: Maintient l’intégrité structurelle sur une large plage de températures, grâce à son faible coefficient de dilatation thermique.
● -Dureté améliorée: Avec un indice de dureté de40 GPa, notre revêtement SiC résiste aux chocs et à l'abrasion importants.
● -Finition de surface lisse: Fournit une finition semblable à un miroir, réduisant la génération de particules et améliorant l’efficacité opérationnelle.
Applications
Semicera Revêtements SiCsont utilisés à différentes étapes de la fabrication des semi-conducteurs, notamment :
● -Fabrication de puces LED
● -Production de polysilicium
● -Croissance des cristaux de semi-conducteurs
● -Epitaxie Silicium et SiC
● -Oxydation thermique et diffusion (TO&D)
Nous fournissons des composants à revêtement SiC fabriqués à partir de graphite isostatique à haute résistance, de carbone renforcé de fibres de carbone et de carbure de silicium recristallisé 4N, adaptés aux réacteurs à lit fluidisé,Convertisseurs STC-TCS, réflecteurs unitaires CZ, bateau à tranches SiC, palette SiCwafer, tube à tranches SiC et supports de tranches utilisés dans les processus PECVD, épitaxie de silicium et MOCVD.
Avantages
● -Durée de vie prolongée: Réduit considérablement les temps d’arrêt des équipements et les coûts de maintenance, améliorant ainsi l’efficacité globale de la production.
● -Qualité améliorée: Permet d'obtenir des surfaces de haute pureté nécessaires au traitement des semi-conducteurs, améliorant ainsi la qualité du produit.
● -Efficacité accrue: Optimise les processus thermiques et CVD, ce qui entraîne des temps de cycle plus courts et des rendements plus élevés.
Spécifications techniques
● -Structure: Phase β FCC polycristalline, principalement orientée (111)
● -Densité: 3,21 g/cm³
● -Dureté: 2500 dureté Vickes (charge de 500g)
● -Résistance à la rupture: 3,0 MPa·m1/2
● -Coefficient de dilatation thermique (100–600 °C): 4,3 x 10-6k-1
● -Module élastique (1300℃):435 GPa
● -Épaisseur typique du film:100 µm
● -Rugosité de la surface:2-10 µm
Données de pureté (mesurées par spectroscopie de masse à décharge luminescente)
| Élément | ppm | Élément | ppm |
| Li | < 0,001 | Cu | < 0,01 |
| Be | < 0,001 | Zn | < 0,05 |
| Al | < 0,04 | Ga | < 0,01 |
| P | < 0,01 | Ge | < 0,05 |
| S | < 0,04 | As | < 0,005 |
| K | < 0,05 | In | < 0,01 |
| Ca | < 0,05 | Sn | < 0,01 |
| Ti | < 0,005 | Sb | < 0,01 |
| V | < 0,001 | W | < 0,05 |
| Cr | < 0,05 | Te | < 0,01 |
| Mn | < 0,005 | Pb | < 0,01 |
| Fe | < 0,05 | Bi | < 0,05 |
| Ni | < 0,01 |
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