L'épitaxie LED bleu/vert de semicera offre des solutions de pointe pour la fabrication de LED haute performance. Conçue pour prendre en charge les processus avancés de croissance épitaxiale, la technologie d'épitaxie LED bleue/verte de semicera améliore l'efficacité et la précision dans la production de LED bleues et vertes, essentielles pour diverses applications optoélectroniques. Utilisant l’épitaxie Si et l’épitaxie SiC de pointe, cette solution garantit une excellente qualité et durabilité.
Dans le processus de fabrication, le suscepteur MOCVD joue un rôle crucial, aux côtés de composants tels que le PSS Etching Carrier, le ICP Etching Carrier et le RTP Carrier, qui optimisent l'environnement de croissance épitaxiale. L'épitaxie LED bleu/vert de Semicera est conçue pour fournir un support stable au suscepteur épitaxial LED, au suscepteur en baril et au silicium monocristallin, garantissant ainsi la production de résultats cohérents et de haute qualité.
Ce processus d'épitaxie est vital pour la création de pièces photovoltaïques et prend en charge des applications telles que l'épitaxie GaN sur SiC, améliorant ainsi l'efficacité globale des semi-conducteurs. Qu'elles soient dans une configuration Pancake Susceptor ou utilisées dans d'autres configurations avancées, les solutions d'épitaxie LED bleu/vert de semicera offrent des performances fiables, aidant les fabricants à répondre à la demande croissante de composants LED de haute qualité.
Principales caractéristiques :
1. Résistance à l’oxydation à haute température :
la résistance à l'oxydation est encore très bonne lorsque la température atteint 1600 C.
2. Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur dans des conditions de chloration à haute température.
3. Résistance à l'érosion : dureté élevée, surface compacte, particules fines.
4. Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.
Principales spécifications deRevêtement CVD-SIC
| Propriétés SiC-CVD | ||
| Structure cristalline | Phase β du FCC | |
| Densité | g/cm³ | 3.21 |
| Dureté | Dureté Vickers | 2500 |
| Taille des grains | µm | 2~10 |
| Pureté chimique | % | 99.99995 |
| Capacité thermique | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Température de sublimation | ℃ | 2700 |
| Force de flexion | MPa (RT 4 points) | 415 |
| Module de Young | Gpa (courbure 4pt, 1300℃) | 430 |
| Expansion thermique (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Conductivité thermique | (W/mK) | 300 |
