Les substrats SiC de type N de 4 pouces de Semicera sont conçus pour répondre aux normes rigoureuses de l'industrie des semi-conducteurs. Ces substrats constituent une base hautes performances pour une large gamme d'applications électroniques, offrant une conductivité et des propriétés thermiques exceptionnelles.
Le dopage de type N de ces substrats SiC améliore leur conductivité électrique, ce qui les rend particulièrement adaptés aux applications haute puissance et haute fréquence. Cette propriété permet le fonctionnement efficace de dispositifs tels que des diodes, des transistors et des amplificateurs, pour lesquels il est crucial de minimiser les pertes d'énergie.
Semicera utilise des procédés de fabrication de pointe pour garantir que chaque substrat présente une excellente qualité de surface et une excellente uniformité. Cette précision est essentielle pour les applications en électronique de puissance, dans les dispositifs micro-ondes et dans d'autres technologies qui exigent des performances fiables dans des conditions extrêmes.
L'intégration des substrats SiC de type N de Semicera dans votre ligne de production signifie bénéficier de matériaux offrant une dissipation thermique et une stabilité électrique supérieures. Ces substrats sont idéaux pour créer des composants nécessitant durabilité et efficacité, tels que des systèmes de conversion de puissance et des amplificateurs RF.
En choisissant les substrats SiC de type N de 4 pouces de Semicera, vous investissez dans un produit qui combine une science des matériaux innovante et un savoir-faire méticuleux. Semicera continue de dominer le secteur en fournissant des solutions qui soutiennent le développement de technologies de semi-conducteurs de pointe, garantissant des performances et une fiabilité élevées.
| Articles | Production | Recherche | Factice |
| Paramètres du cristal | |||
| Polytype | 4H | ||
| Erreur d'orientation de la surface | <11-20 >4±0,15° | ||
| Paramètres électriques | |||
| Dopant | Azote de type n | ||
| Résistivité | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Paramètres mécaniques | |||
| Diamètre | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Épaisseur | 350 ± 25 μm | ||
| Orientation principale à plat | [1-100]±5° | ||
| Longueur à plat primaire | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Appartement secondaire | Aucun | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arc | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Chaîne | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosité avant (face Si) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
| Structure | |||
| Densité des microtubes | <1 pièce/cm2 | <10 pièce/cm2 | <15 pièce/cm2 |
| Impuretés métalliques | ≤5E10atomes/cm2 | NA | |
| TPB | ≤1500 pièce/cm2 | ≤3000 pièce/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 pièce/cm2 | ≤1000 pièce/cm2 | NA |
| Qualité avant | |||
| Devant | Si | ||
| Finition superficielle | Si-face CMP | ||
| Particules | ≤60ea/plaquette (taille≥0,3μm) | NA | |
| Rayures | ≤5 unités/mm. Longueur cumulée ≤Diamètre | Longueur cumulée≤2*Diamètre | NA |
| Peau d'orange/piqûres/taches/striations/fissures/contamination | Aucun | NA | |
| Copeaux de bord/empreintes/fracture/plaques hexagonales | Aucun | ||
| Zones polytypes | Aucun | Superficie cumulée≤20 % | Superficie cumulée≤30 % |
| Marquage laser frontal | Aucun | ||
| Retour Qualité | |||
| Finition arrière | CMP face C | ||
| Rayures | ≤5ea/mm, longueur cumulée≤2*Diamètre | NA | |
| Défauts arrière (éclats de bord/empreintes) | Aucun | ||
| Rugosité du dos | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
| Marquage laser au dos | 1 mm (à partir du bord supérieur) | ||
| Bord | |||
| Bord | Chanfreiner | ||
| Conditionnement | |||
| Conditionnement | Epi-ready avec emballage sous vide Conditionnement de cassettes multi-wafers | ||
| *Remarques : « NA » signifie aucune demande. Les éléments non mentionnés peuvent faire référence à SEMI-STD. | |||
