Semiceraprésente fièrement sonSubstrats d'oxyde de gallium 4", un matériau révolutionnaire conçu pour répondre aux demandes croissantes des dispositifs semi-conducteurs hautes performances. Oxyde de gallium (Ga2O3) les substrats offrent une bande interdite ultra large, ce qui les rend idéaux pour l'électronique de puissance de nouvelle génération, l'optoélectronique UV et les dispositifs haute fréquence.
Principales caractéristiques :
• Bande interdite ultra-large: LeSubstrats d'oxyde de gallium 4"disposent d'une bande interdite d'environ 4,8 eV, permettant une tolérance exceptionnelle en matière de tension et de température, surpassant considérablement les matériaux semi-conducteurs traditionnels comme le silicium.
•Tension de claquage élevée: Ces substrats permettent aux dispositifs de fonctionner à des tensions et des puissances plus élevées, ce qui les rend parfaits pour les applications haute tension en électronique de puissance.
•Stabilité thermique supérieure: Les substrats en oxyde de gallium offrent une excellente conductivité thermique, garantissant des performances stables dans des conditions extrêmes, idéales pour une utilisation dans des environnements exigeants.
•Haute qualité des matériaux: Avec de faibles densités de défauts et une qualité cristalline élevée, ces substrats garantissent des performances fiables et constantes, améliorant l'efficacité et la durabilité de vos appareils.
•Application polyvalente: Convient à une large gamme d'applications, notamment les transistors de puissance, les diodes Schottky et les dispositifs LED UV-C, permettant des innovations dans les domaines de la puissance et de l'optoélectronique.
Explorez l'avenir de la technologie des semi-conducteurs avec SemiceraSubstrats d'oxyde de gallium 4". Nos substrats sont conçus pour prendre en charge les applications les plus avancées, offrant la fiabilité et l'efficacité requises pour les appareils de pointe d'aujourd'hui. Faites confiance à Semicera pour la qualité et l'innovation de vos matériaux semi-conducteurs.
| Articles | Production | Recherche | Factice |
| Paramètres du cristal | |||
| Polytype | 4H | ||
| Erreur d'orientation de la surface | <11-20 >4±0,15° | ||
| Paramètres électriques | |||
| Dopant | Azote de type n | ||
| Résistivité | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Paramètres mécaniques | |||
| Diamètre | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Épaisseur | 350 ± 25 μm | ||
| Orientation principale à plat | [1-100]±5° | ||
| Longueur à plat primaire | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Appartement secondaire | Aucun | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arc | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Chaîne | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosité avant (face Si) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
| Structure | |||
| Densité des microtubes | <1 pièce/cm2 | <10 pièce/cm2 | <15 pièce/cm2 |
| Impuretés métalliques | ≤5E10atomes/cm2 | NA | |
| TPB | ≤1500 pièce/cm2 | ≤3000 pièce/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 pièce/cm2 | ≤1000 pièce/cm2 | NA |
| Qualité avant | |||
| Devant | Si | ||
| Finition superficielle | Si-face CMP | ||
| Particules | ≤60ea/plaquette (taille≥0,3μm) | NA | |
| Rayures | ≤5 unités/mm. Longueur cumulée ≤Diamètre | Longueur cumulée≤2*Diamètre | NA |
| Peau d'orange/piqûres/taches/striations/fissures/contamination | Aucun | NA | |
| Copeaux de bord/empreintes/fracture/plaques hexagonales | Aucun | ||
| Zones polytypes | Aucun | Superficie cumulée≤20 % | Superficie cumulée≤30 % |
| Marquage laser frontal | Aucun | ||
| Retour Qualité | |||
| Finition arrière | CMP face C | ||
| Rayures | ≤5ea/mm, longueur cumulée≤2*Diamètre | NA | |
| Défauts arrière (éclats de bord/empreintes) | Aucun | ||
| Rugosité du dos | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
| Marquage laser au dos | 1 mm (à partir du bord supérieur) | ||
| Bord | |||
| Bord | Chanfreiner | ||
| Conditionnement | |||
| Conditionnement | Epi-ready avec emballage sous vide Conditionnement de cassettes multi-wafers | ||
| *Remarques : « NA » signifie aucune demande. Les éléments non mentionnés peuvent faire référence à SEMI-STD. | |||
