Semiceraest ravi d'offrirSubstrats d'oxyde de gallium 2", un matériau de pointe conçu pour améliorer les performances des dispositifs semi-conducteurs avancés. Ces substrats, fabriqués à partir d'oxyde de gallium (Ga2O3), disposent d'une bande interdite ultra large, ce qui en fait un choix idéal pour les applications optoélectroniques haute puissance, haute fréquence et UV.
Principales caractéristiques :
• Bande interdite ultra-large: LeSubstrats d'oxyde de gallium 2"fournissent une bande interdite exceptionnelle d'environ 4,8 eV, permettant un fonctionnement à tension et température plus élevées, dépassant de loin les capacités des matériaux semi-conducteurs traditionnels comme le silicium.
•Tension de claquage exceptionnelle: Ces substrats permettent aux dispositifs de gérer des tensions nettement plus élevées, ce qui les rend parfaits pour l'électronique de puissance, en particulier dans les applications haute tension.
•Excellente conductivité thermique: Avec une stabilité thermique supérieure, ces substrats maintiennent des performances constantes même dans des environnements thermiques extrêmes, idéaux pour les applications haute puissance et haute température.
•Matériau de haute qualité: LeSubstrats d'oxyde de gallium 2"offrent de faibles densités de défauts et une qualité cristalline élevée, garantissant les performances fiables et efficaces de vos dispositifs semi-conducteurs.
•Applications polyvalentes: Ces substrats conviennent à une gamme d'applications, notamment les transistors de puissance, les diodes Schottky et les dispositifs LED UV-C, offrant une base solide pour les innovations en matière de puissance et optoélectroniques.
Libérez tout le potentiel de vos dispositifs semi-conducteurs avec SemiceraSubstrats d'oxyde de gallium 2". Nos substrats sont conçus pour répondre aux besoins exigeants des applications avancées d'aujourd'hui, garantissant des performances, une fiabilité et une efficacité élevées. Choisissez Semicera pour des matériaux semi-conducteurs de pointe qui stimulent l'innovation.
| Articles | Production | Recherche | Factice |
| Paramètres du cristal | |||
| Polytype | 4H | ||
| Erreur d'orientation de la surface | <11-20 >4±0,15° | ||
| Paramètres électriques | |||
| Dopant | Azote de type n | ||
| Résistivité | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Paramètres mécaniques | |||
| Diamètre | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Épaisseur | 350 ± 25 μm | ||
| Orientation principale à plat | [1-100]±5° | ||
| Longueur à plat primaire | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Appartement secondaire | Aucun | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arc | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Chaîne | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosité avant (face Si) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
| Structure | |||
| Densité des microtubes | <1 pièce/cm2 | <10 pièce/cm2 | <15 pièce/cm2 |
| Impuretés métalliques | ≤5E10atomes/cm2 | NA | |
| TPB | ≤1500 pièce/cm2 | ≤3000 pièce/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 pièce/cm2 | ≤1000 pièce/cm2 | NA |
| Qualité avant | |||
| Devant | Si | ||
| Finition superficielle | Si-face CMP | ||
| Particules | ≤60ea/plaquette (taille≥0,3μm) | NA | |
| Rayures | ≤5 unités/mm. Longueur cumulée ≤Diamètre | Longueur cumulée≤2*Diamètre | NA |
| Peau d'orange/piqûres/taches/striations/fissures/contamination | Aucun | NA | |
| Copeaux de bord/empreintes/fracture/plaques hexagonales | Aucun | ||
| Zones polytypes | Aucun | Superficie cumulée≤20 % | Superficie cumulée≤30 % |
| Marquage laser frontal | Aucun | ||
| Retour Qualité | |||
| Finition arrière | CMP face C | ||
| Rayures | ≤5ea/mm, longueur cumulée≤2*Diamètre | NA | |
| Défauts arrière (éclats de bord/empreintes) | Aucun | ||
| Rugosité du dos | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
| Marquage laser au dos | 1 mm (à partir du bord supérieur) | ||
| Bord | |||
| Bord | Chanfreiner | ||
| Conditionnement | |||
| Conditionnement | Epi-ready avec emballage sous vide Conditionnement de cassettes multi-wafers | ||
| *Remarques : « NA » signifie aucune demande. Les éléments non mentionnés peuvent faire référence à SEMI-STD. | |||
