Supports de tranches épitaxiales revêtues de TaCsont généralement utilisés dans la préparation de dispositifs optoélectroniques, de dispositifs de puissance, de capteurs et d'autres domaines hautes performances. Cesupport de plaquette épitaxialefait référence au dépôt deTaCfilm mince sur le substrat pendant le processus de croissance cristalline pour former une tranche avec une structure et des performances spécifiques pour la préparation ultérieure du dispositif.
La technologie de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est généralement utilisée pour préparerSupports de tranches épitaxiales revêtues de TaC. En faisant réagir des précurseurs organométalliques et des gaz sources de carbone à haute température, un film de TaC peut être déposé sur la surface du substrat cristallin. Ce film peut avoir d'excellentes propriétés électriques, optiques et mécaniques et convient à la préparation de divers dispositifs hautes performances.
Semicera fournit des revêtements spécialisés en carbure de tantale (TaC) pour divers composants et supports.Le procédé de revêtement de pointe Semicera permet aux revêtements en carbure de tantale (TaC) d'atteindre une pureté élevée, une stabilité à haute température et une tolérance chimique élevée, améliorant ainsi la qualité des produits des cristaux SIC/GAN et des couches EPI (Suscepteur TaC recouvert de graphite) et prolonger la durée de vie des composants clés du réacteur. L'utilisation du revêtement TaC en carbure de tantale vise à résoudre le problème des bords et à améliorer la qualité de la croissance cristalline, et Semicera a résolu de manière révolutionnaire la technologie de revêtement en carbure de tantale (CVD), atteignant le niveau avancé international.
Après des années de développement, Semicera a conquis la technologie deTaC MCVavec les efforts conjoints du département R&D. Il est facile de constater des défauts lors du processus de croissance des plaquettes SiC, mais après utilisationTaC, la différence est significative. Vous trouverez ci-dessous une comparaison des plaquettes avec et sans TaC, ainsi que des pièces Simicera pour la croissance monocristalline.
avec et sans TaC
Après avoir utilisé TaC (à droite)
De plus, SemiceraProduits revêtus de TaCprésentent une durée de vie plus longue et une plus grande résistance aux températures élevées par rapport àRevêtements SiC.Des mesures en laboratoire ont démontré que notreRevêtements TaCpeut fonctionner de manière constante à des températures allant jusqu'à 2 300 degrés Celsius pendant de longues périodes. Vous trouverez ci-dessous quelques exemples de nos échantillons :
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Plaque planétaire avec revêtement en carbure de tantale (TaC)
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Couverture en graphite enduit de carbure de tantale
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Carbure de tantale poreux, matériau de champ chaud pour...
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Pièce demi-lune recouverte de carbure de tantale CVD