Anneau CVD SiC solide

Brève description :

Les anneaux CVD SiC solides sont principalement composés de carbure de silicium (SiC) et possèdent d'excellentes propriétés physiques et chimiques. Le carbure de silicium est un matériau céramique présentant un point de fusion élevé, une dureté élevée et une excellente résistance à la corrosion. Il présente une excellente conductivité thermique, stabilité chimique et résistance mécanique à haute température, ainsi qu'une excellente résistance à l'usure et à l'abrasion.

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Détail du produit

Mots clés du produit

Pourquoi l'anneau CVD SiC est-il solide ?

Anneaux CVD SiC solidessont largement utilisés dans les domaines industriels et scientifiques dans des environnements à haute température, corrosifs et abrasifs. Il joue un rôle important dans plusieurs domaines d’application, notamment :

1. Fabrication de semi-conducteurs :Anneaux CVD SiC solidespeut être utilisé pour chauffer et refroidir des équipements semi-conducteurs, offrant un contrôle stable de la température pour garantir la précision et la cohérence du processus.

2. Optoélectronique : en raison de son excellente conductivité thermique et de sa résistance à haute température,Anneaux CVD SiC solidespeut être utilisé comme matériau de support et de dissipation thermique pour les lasers, les équipements de communication à fibre optique et les composants optiques.

3. Machines de précision : les anneaux CVD SiC solides peuvent être utilisés pour les instruments et équipements de précision dans des environnements à haute température et corrosifs, tels que les fours à haute température, les appareils à vide et les réacteurs chimiques.

4. Industrie chimique : Les anneaux CVD SiC solides peuvent être utilisés dans les conteneurs, les tuyaux et les réacteurs dans les réactions chimiques et les processus catalytiques en raison de leur résistance à la corrosion et de leur stabilité chimique.

Notre avantage, pourquoi choisir Semicera ?

✓Qualité supérieure sur le marché chinois

✓Bon service toujours pour vous, 7*24 heures

✓Date de livraison courte

✓Petit MOQ bienvenu et accepté

✓Services personnalisés

Application

Suscepteur de croissance par épitaxie

Les plaquettes de silicium/carbure de silicium doivent passer par plusieurs processus pour être utilisées dans les appareils électroniques. Un procédé important est l'épitaxie silicium/sic, dans lequel des tranches de silicium/sic sont portées sur une base de graphite. Les avantages particuliers de la base de graphite recouverte de carbure de silicium de Semicera incluent une pureté extrêmement élevée, un revêtement uniforme et une durée de vie extrêmement longue. Ils présentent également une résistance chimique et une stabilité thermique élevées.

Suscepteur d'épitaxie de silicium

Suscepteur d'épitaxie en carbure de silicium

Production de puces LED

Lors du revêtement approfondi du réacteur MOCVD, la base ou support planétaire déplace la tranche de substrat. Les performances du matériau de base ont une grande influence sur la qualité du revêtement, qui à son tour affecte le taux de rebut des copeaux. La base recouverte de carbure de silicium de Semicera augmente l'efficacité de fabrication des plaquettes LED de haute qualité et minimise l'écart de longueur d'onde. Nous fournissons également des composants en graphite supplémentaires pour tous les réacteurs MOCVD actuellement utilisés. Nous pouvons revêtir presque n'importe quel composant avec un revêtement en carbure de silicium, même si le diamètre du composant peut atteindre 1,5 M, nous pouvons toujours revêtir du carbure de silicium.

Suscepteur d'épitaxie LED

Domaine des semi-conducteurs, processus de diffusion d'oxydation, Etc.

Dans le processus des semi-conducteurs, le processus d'oxydation-expansion nécessite une pureté de produit élevée, et chez Semicera, nous proposons des services de revêtement personnalisés et CVD pour la majorité des pièces en carbure de silicium.

L'image suivante montre la boue de carbure de silicium grossièrement traitée de Semicea et le tube du four en carbure de silicium qui est nettoyé au 1000-niveausans poussièrechambre. Nos ouvriers travaillent avant le revêtement. La pureté de notre carbure de silicium peut atteindre 99,99 % et la pureté du revêtement sic est supérieure à 99,99995 %.