La plaquette SOI (silicium sur isolant) de Semicera est conçue pour offrir une isolation électrique et des performances thermiques supérieures. Cette structure de tranche innovante, dotée d'une couche de silicium sur une couche isolante, garantit des performances améliorées du dispositif et une consommation d'énergie réduite, ce qui la rend idéale pour une variété d'applications de haute technologie.
Nos plaquettes SOI offrent des avantages exceptionnels pour les circuits intégrés en minimisant la capacité parasite et en améliorant la vitesse et l'efficacité des dispositifs. Ceci est crucial pour l’électronique moderne, où les hautes performances et l’efficacité énergétique sont essentielles pour les applications grand public et industrielles.
Semicera utilise des techniques de fabrication avancées pour produire des plaquettes SOI avec une qualité et une fiabilité constantes. Ces plaquettes offrent une excellente isolation thermique, ce qui les rend adaptées à une utilisation dans des environnements où la dissipation thermique est un problème, comme dans les dispositifs électroniques haute densité et les systèmes de gestion de l'énergie.
L'utilisation de plaquettes SOI dans la fabrication de semi-conducteurs permet le développement de puces plus petites, plus rapides et plus fiables. L'engagement de Semicera envers l'ingénierie de précision garantit que nos plaquettes SOI répondent aux normes élevées requises pour les technologies de pointe dans des domaines tels que les télécommunications, l'automobile et l'électronique grand public.
Choisir le SOI Wafer de Semicera, c'est investir dans un produit qui prend en charge l'avancement des technologies électroniques et microélectroniques. Nos plaquettes sont conçues pour offrir des performances et une durabilité améliorées, contribuant ainsi au succès de vos projets de haute technologie et garantissant que vous restiez à la pointe de l'innovation.
Articles | Production | Recherche | Factice |
Paramètres du cristal | |||
Polytype | 4H | ||
Erreur d'orientation de la surface | <11-20 >4±0,15° | ||
Paramètres électriques | |||
Dopant | Azote de type n | ||
Résistivité | 0,015-0,025ohm·cm | ||
Paramètres mécaniques | |||
Diamètre | 150,0 ± 0,2 mm | ||
Épaisseur | 350 ± 25 μm | ||
Orientation principale à plat | [1-100]±5° | ||
Longueur à plat primaire | 47,5 ± 1,5 mm | ||
Appartement secondaire | Aucun | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
Arc | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
Chaîne | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Rugosité avant (face Si) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
Structure | |||
Densité des microtubes | <1 pièce/cm2 | <10 pièce/cm2 | <15 pièce/cm2 |
Impuretés métalliques | ≤5E10atomes/cm2 | NA | |
TPB | ≤1500 pièce/cm2 | ≤3000 pièce/cm2 | NA |
TSD | ≤500 pièce/cm2 | ≤1000 pièce/cm2 | NA |
Qualité avant | |||
Devant | Si | ||
Finition superficielle | Si-face CMP | ||
Particules | ≤60ea/plaquette (taille≥0,3μm) | NA | |
Rayures | ≤5 unités/mm. Longueur cumulée ≤Diamètre | Longueur cumulée≤2*Diamètre | NA |
Peau d'orange/piqûres/taches/striations/fissures/contamination | Aucun | NA | |
Copeaux de bord/empreintes/fracture/plaques hexagonales | Aucun | ||
Zones polytypes | Aucun | Superficie cumulée≤20 % | Superficie cumulée≤30 % |
Marquage laser frontal | Aucun | ||
Retour Qualité | |||
Finition arrière | CMP face C | ||
Rayures | ≤5ea/mm, longueur cumulée≤2*Diamètre | NA | |
Défauts arrière (éclats de bord/empreintes) | Aucun | ||
Rugosité du dos | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
Marquage laser au dos | 1 mm (à partir du bord supérieur) | ||
Bord | |||
Bord | Chanfreiner | ||
Conditionnement | |||
Conditionnement | Epi-ready avec emballage sous vide Conditionnement de cassettes multi-wafers | ||
*Remarques : « NA » signifie aucune demande. Les éléments non mentionnés peuvent faire référence à SEMI-STD. |