Substrats simples en céramique SiN

Brève description :

Les substrats simples SiN Ceramics de Semicera offrent des performances thermiques et mécaniques exceptionnelles pour les applications à forte demande. Conçus pour une durabilité et une fiabilité supérieures, ces substrats sont idéaux pour les appareils électroniques avancés. Choisissez Semicera pour des solutions céramiques SiN de haute qualité adaptées à vos besoins.


Détail du produit

Mots clés du produit

Les substrats simples SiN Ceramics de Semicera offrent une solution haute performance pour une variété d'applications électroniques et industrielles. Connus pour leur excellente conductivité thermique et leur résistance mécanique, ces substrats garantissent un fonctionnement fiable dans des environnements exigeants.

Nos céramiques SiN (nitrure de silicium) sont conçues pour résister à des températures extrêmes et à des conditions de contraintes élevées, ce qui les rend adaptées à l'électronique haute puissance et aux dispositifs semi-conducteurs avancés. Leur durabilité et leur résistance aux chocs thermiques les rendent idéaux pour une utilisation dans les applications où la fiabilité et les performances sont essentielles.

Les processus de fabrication de précision de Semicera garantissent que chaque substrat uni répond à des normes de qualité rigoureuses. Il en résulte des substrats avec une épaisseur et une qualité de surface constantes, essentielles pour obtenir des performances optimales dans les assemblages et systèmes électroniques.

En plus de leurs avantages thermiques et mécaniques, les substrats simples SiN Ceramics offrent d'excellentes propriétés d'isolation électrique. Cela garantit une interférence électrique minimale et contribue à la stabilité et à l’efficacité globales des composants électroniques, améliorant ainsi leur durée de vie opérationnelle.

En sélectionnant les substrats simples SiN Ceramics de Semicera, vous choisissez un produit qui combine une science avancée des matériaux avec une fabrication de premier ordre. Notre engagement envers la qualité et l'innovation garantit que vous recevez des substrats qui répondent aux normes les plus élevées de l'industrie et soutiennent le succès de vos projets technologiques de pointe.

Articles

Production

Recherche

Factice

Paramètres du cristal

Polytype

4H

Erreur d'orientation de la surface

<11-20 >4±0,15°

Paramètres électriques

Dopant

Azote de type n

Résistivité

0,015-0,025ohm·cm

Paramètres mécaniques

Diamètre

150,0 ± 0,2 mm

Épaisseur

350 ± 25 μm

Orientation principale à plat

[1-100]±5°

Longueur à plat primaire

47,5 ± 1,5 mm

Appartement secondaire

Aucun

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm(5mm*5mm)

≤5 μm(5mm*5mm)

≤10 μm(5mm*5mm)

Arc

-15 μm ~ 15 μm

-35 μm ~ 35 μm

-45 μm ~ 45 μm

Chaîne

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugosité avant (face Si) (AFM)

Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm)

Structure

Densité des microtubes

<1 pièce/cm2

<10 pièce/cm2

<15 pièce/cm2

Impuretés métalliques

≤5E10atomes/cm2

NA

TPB

≤1500 pièce/cm2

≤3000 pièce/cm2

NA

TSD

≤500 pièce/cm2

≤1000 pièce/cm2

NA

Qualité avant

Devant

Si

Finition superficielle

Si-face CMP

Particules

≤60ea/plaquette (taille≥0,3μm)

NA

Rayures

≤5 unités/mm. Longueur cumulée ≤Diamètre

Longueur cumulée≤2*Diamètre

NA

Peau d'orange/piqûres/taches/striations/fissures/contamination

Aucun

NA

Copeaux de bord/empreintes/fracture/plaques hexagonales

Aucun

Zones polytypes

Aucun

Superficie cumulée≤20 %

Superficie cumulée≤30 %

Marquage laser frontal

Aucun

Retour Qualité

Finition arrière

CMP face C

Rayures

≤5ea/mm, longueur cumulée≤2*Diamètre

NA

Défauts arrière (éclats de bord/empreintes)

Aucun

Rugosité du dos

Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm)

Marquage laser au dos

1 mm (à partir du bord supérieur)

Bord

Bord

Chanfreiner

Conditionnement

Conditionnement

Epi-ready avec emballage sous vide

Conditionnement de cassettes multi-wafers

*Remarques : « NA » signifie aucune demande. Les éléments non mentionnés peuvent faire référence à SEMI-STD.

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