Les plaquettes de silicium Semicera sont méticuleusement conçues pour servir de base à un large éventail de dispositifs semi-conducteurs, des microprocesseurs aux cellules photovoltaïques. Ces plaquettes sont conçues avec une grande précision et pureté, garantissant des performances optimales dans diverses applications électroniques.
Fabriquées à l'aide de techniques avancées, les plaquettes de silicium Semicera présentent une planéité et une uniformité exceptionnelles, essentielles pour atteindre des rendements élevés dans la fabrication de semi-conducteurs. Ce niveau de précision contribue à minimiser les défauts et à améliorer l'efficacité globale des composants électroniques.
La qualité supérieure des plaquettes de silicium Semicera est évidente dans leurs caractéristiques électriques, qui contribuent aux performances améliorées des dispositifs semi-conducteurs. Avec de faibles niveaux d’impuretés et une qualité cristalline élevée, ces plaquettes constituent la plate-forme idéale pour développer des composants électroniques hautes performances.
Disponibles en différentes tailles et spécifications, les plaquettes de silicium Semicera peuvent être adaptées pour répondre aux besoins spécifiques de différentes industries, notamment l'informatique, les télécommunications et les énergies renouvelables. Qu'il s'agisse d'une fabrication à grande échelle ou d'une recherche spécialisée, ces plaquettes fournissent des résultats fiables.
Semicera s'engage à soutenir la croissance et l'innovation de l'industrie des semi-conducteurs en fournissant des tranches de silicium de haute qualité qui répondent aux normes industrielles les plus élevées. En mettant l'accent sur la précision et la fiabilité, Semicera permet aux fabricants de repousser les limites de la technologie, garantissant que leurs produits restent à la pointe du marché.
| Articles | Production | Recherche | Factice |
| Paramètres du cristal | |||
| Polytype | 4H | ||
| Erreur d'orientation de la surface | <11-20 >4±0,15° | ||
| Paramètres électriques | |||
| Dopant | Azote de type n | ||
| Résistivité | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Paramètres mécaniques | |||
| Diamètre | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Épaisseur | 350 ± 25 μm | ||
| Orientation principale à plat | [1-100]±5° | ||
| Longueur à plat primaire | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Appartement secondaire | Aucun | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arc | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Chaîne | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosité avant (face Si) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
| Structure | |||
| Densité des microtubes | <1 pièce/cm2 | <10 pièce/cm2 | <15 pièce/cm2 |
| Impuretés métalliques | ≤5E10atomes/cm2 | NA | |
| TPB | ≤1500 pièce/cm2 | ≤3000 pièce/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 pièce/cm2 | ≤1000 pièce/cm2 | NA |
| Qualité avant | |||
| Devant | Si | ||
| Finition superficielle | Si-face CMP | ||
| Particules | ≤60ea/plaquette (taille≥0,3μm) | NA | |
| Rayures | ≤5 unités/mm. Longueur cumulée ≤Diamètre | Longueur cumulée≤2*Diamètre | NA |
| Peau d'orange/piqûres/taches/striations/fissures/contamination | Aucun | NA | |
| Copeaux de bord/empreintes/fracture/plaques hexagonales | Aucun | ||
| Zones polytypes | Aucun | Superficie cumulée≤20 % | Superficie cumulée≤30 % |
| Marquage laser frontal | Aucun | ||
| Retour Qualité | |||
| Finition arrière | CMP face C | ||
| Rayures | ≤5ea/mm, longueur cumulée≤2*Diamètre | NA | |
| Défauts arrière (éclats de bord/empreintes) | Aucun | ||
| Rugosité du dos | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
| Marquage laser au dos | 1 mm (à partir du bord supérieur) | ||
| Bord | |||
| Bord | Chanfreiner | ||
| Conditionnement | |||
| Conditionnement | Epi-ready avec emballage sous vide Conditionnement de cassettes multi-wafers | ||
| *Remarques : « NA » signifie aucune demande. Les éléments non mentionnés peuvent faire référence à SEMI-STD. | |||
