Les substrats de silicium Semicera sont conçus pour répondre aux exigences rigoureuses de l'industrie des semi-conducteurs, offrant une qualité et une précision inégalées. Ces substrats constituent une base fiable pour diverses applications, des circuits intégrés aux cellules photovoltaïques, garantissant des performances et une longévité optimales.
La haute pureté des substrats de silicium Semicera garantit un minimum de défauts et des caractéristiques électriques supérieures, essentielles à la production de composants électroniques à haut rendement. Ce niveau de pureté contribue à réduire les pertes d’énergie et à améliorer l’efficacité globale des dispositifs semi-conducteurs.
Semicera utilise des techniques de fabrication de pointe pour produire des substrats de silicium d'une uniformité et d'une planéité exceptionnelles. Cette précision est essentielle pour obtenir des résultats cohérents dans la fabrication de semi-conducteurs, où même la moindre variation peut avoir un impact sur les performances et le rendement du dispositif.
Disponibles dans une variété de tailles et de spécifications, les substrats de silicium Semicera répondent à un large éventail de besoins industriels. Que vous développiez des microprocesseurs ou des panneaux solaires de pointe, ces substrats offrent la flexibilité et la fiabilité requises pour votre application spécifique.
Semicera se consacre à soutenir l'innovation et l'efficacité dans l'industrie des semi-conducteurs. En fournissant des substrats en silicium de haute qualité, nous permettons aux fabricants de repousser les limites de la technologie, en proposant des produits qui répondent aux demandes changeantes du marché. Faites confiance à Semicera pour vos solutions électroniques et photovoltaïques de nouvelle génération.
| Articles | Production | Recherche | Factice |
| Paramètres du cristal | |||
| Polytype | 4H | ||
| Erreur d'orientation de la surface | <11-20 >4±0,15° | ||
| Paramètres électriques | |||
| Dopant | Azote de type n | ||
| Résistivité | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Paramètres mécaniques | |||
| Diamètre | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Épaisseur | 350 ± 25 μm | ||
| Orientation principale à plat | [1-100]±5° | ||
| Longueur à plat primaire | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Appartement secondaire | Aucun | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arc | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Chaîne | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosité avant (face Si) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
| Structure | |||
| Densité des microtubes | <1 pièce/cm2 | <10 pièce/cm2 | <15 pièce/cm2 |
| Impuretés métalliques | ≤5E10atomes/cm2 | NA | |
| TPB | ≤1500 pièce/cm2 | ≤3000 pièce/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 pièce/cm2 | ≤1000 pièce/cm2 | NA |
| Qualité avant | |||
| Devant | Si | ||
| Finition superficielle | Si-face CMP | ||
| Particules | ≤60ea/plaquette (taille≥0,3μm) | NA | |
| Rayures | ≤5 unités/mm. Longueur cumulée ≤Diamètre | Longueur cumulée≤2*Diamètre | NA |
| Peau d'orange/piqûres/taches/striations/fissures/contamination | Aucun | NA | |
| Copeaux de bord/empreintes/fracture/plaques hexagonales | Aucun | ||
| Zones polytypes | Aucun | Superficie cumulée≤20 % | Superficie cumulée≤30 % |
| Marquage laser frontal | Aucun | ||
| Retour Qualité | |||
| Finition arrière | CMP face C | ||
| Rayures | ≤5ea/mm, longueur cumulée≤2*Diamètre | NA | |
| Défauts arrière (éclats de bord/empreintes) | Aucun | ||
| Rugosité du dos | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
| Marquage laser au dos | 1 mm (à partir du bord supérieur) | ||
| Bord | |||
| Bord | Chanfreiner | ||
| Conditionnement | |||
| Conditionnement | Epi-ready avec emballage sous vide Conditionnement de cassettes multi-wafers | ||
| *Remarques : « NA » signifie aucune demande. Les éléments non mentionnés peuvent faire référence à SEMI-STD. | |||
