Substrat de silicium

Brève description :

Les substrats de silicium Semicera sont conçus avec précision pour les applications hautes performances dans la fabrication de produits électroniques et de semi-conducteurs. D'une pureté et d'une uniformité exceptionnelles, ces substrats sont conçus pour prendre en charge des processus technologiques avancés. Semicera garantit une qualité et une fiabilité constantes pour vos projets les plus exigeants.


Détail du produit

Mots clés du produit

Les substrats de silicium Semicera sont conçus pour répondre aux exigences rigoureuses de l'industrie des semi-conducteurs, offrant une qualité et une précision inégalées. Ces substrats constituent une base fiable pour diverses applications, des circuits intégrés aux cellules photovoltaïques, garantissant des performances et une longévité optimales.

La haute pureté des substrats de silicium Semicera garantit un minimum de défauts et des caractéristiques électriques supérieures, essentielles à la production de composants électroniques à haut rendement. Ce niveau de pureté contribue à réduire les pertes d’énergie et à améliorer l’efficacité globale des dispositifs semi-conducteurs.

Semicera utilise des techniques de fabrication de pointe pour produire des substrats de silicium d'une uniformité et d'une planéité exceptionnelles. Cette précision est essentielle pour obtenir des résultats cohérents dans la fabrication de semi-conducteurs, où même la moindre variation peut avoir un impact sur les performances et le rendement du dispositif.

Disponibles dans une variété de tailles et de spécifications, les substrats de silicium Semicera répondent à un large éventail de besoins industriels. Que vous développiez des microprocesseurs ou des panneaux solaires de pointe, ces substrats offrent la flexibilité et la fiabilité requises pour votre application spécifique.

Semicera se consacre à soutenir l'innovation et l'efficacité dans l'industrie des semi-conducteurs. En fournissant des substrats en silicium de haute qualité, nous permettons aux fabricants de repousser les limites de la technologie, en proposant des produits qui répondent aux demandes changeantes du marché. Faites confiance à Semicera pour vos solutions électroniques et photovoltaïques de nouvelle génération.

Articles

Production

Recherche

Factice

Paramètres du cristal

Polytype

4H

Erreur d'orientation de la surface

<11-20 >4±0,15°

Paramètres électriques

Dopant

Azote de type n

Résistivité

0,015-0,025ohm·cm

Paramètres mécaniques

Diamètre

150,0 ± 0,2 mm

Épaisseur

350 ± 25 μm

Orientation principale à plat

[1-100]±5°

Longueur à plat primaire

47,5 ± 1,5 mm

Appartement secondaire

Aucun

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm(5mm*5mm)

≤5 μm(5mm*5mm)

≤10 μm(5mm*5mm)

Arc

-15 μm ~ 15 μm

-35 μm ~ 35 μm

-45 μm ~ 45 μm

Chaîne

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugosité avant (face Si) (AFM)

Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm)

Structure

Densité des microtubes

<1 pièce/cm2

<10 pièce/cm2

<15 pièce/cm2

Impuretés métalliques

≤5E10atomes/cm2

NA

TPB

≤1500 pièce/cm2

≤3000 pièce/cm2

NA

TSD

≤500 pièce/cm2

≤1000 pièce/cm2

NA

Qualité avant

Devant

Si

Finition superficielle

Si-face CMP

Particules

≤60ea/plaquette (taille≥0,3μm)

NA

Rayures

≤5 unités/mm. Longueur cumulée ≤Diamètre

Longueur cumulée≤2*Diamètre

NA

Peau d'orange/piqûres/taches/striations/fissures/contamination

Aucun

NA

Copeaux de bord/empreintes/fracture/plaques hexagonales

Aucun

Zones polytypes

Aucun

Superficie cumulée≤20 %

Superficie cumulée≤30 %

Marquage laser frontal

Aucun

Retour Qualité

Finition arrière

CMP face C

Rayures

≤5ea/mm, longueur cumulée≤2*Diamètre

NA

Défauts arrière (éclats de bord/empreintes)

Aucun

Rugosité du dos

Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm)

Marquage laser au dos

1 mm (à partir du bord supérieur)

Bord

Bord

Chanfreiner

Conditionnement

Conditionnement

Epi-ready avec emballage sous vide

Conditionnement de cassettes multi-wafers

*Remarques : « NA » signifie aucune demande. Les éléments non mentionnés peuvent faire référence à SEMI-STD.

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