Silicium sur plaquettes isolantesde Semicera sont conçus pour répondre à la demande croissante de solutions semi-conductrices hautes performances. Nos plaquettes SOI offrent des performances électriques supérieures et une capacité parasite réduite des dispositifs, ce qui les rend idéales pour les applications avancées telles que les dispositifs MEMS, les capteurs et les circuits intégrés. L'expertise de Semicera dans la production de plaquettes garantit que chaqueplaquette SOIfournit des résultats fiables et de haute qualité pour vos besoins technologiques de nouvelle génération.
NotreSilicium sur plaquettes isolantesoffrent un équilibre optimal entre rentabilité et performance. Le coût des plaquettes soi devenant de plus en plus compétitif, ces plaquettes sont largement utilisées dans diverses industries, notamment la microélectronique et l'optoélectronique. Le processus de production de haute précision de Semicera garantit une liaison et une uniformité supérieures des tranches, ce qui les rend adaptées à une variété d'applications, des tranches SOI à cavité aux tranches de silicium standard.
Principales caractéristiques :
•Plaquettes SOI de haute qualité optimisées pour les performances dans les MEMS et d'autres applications.
•Coût compétitif des plaquettes soi pour les entreprises recherchant des solutions avancées sans compromettre la qualité.
•Idéal pour les technologies de pointe, offrant une isolation électrique et une efficacité améliorées dans les systèmes silicium sur isolant.
NotreSilicium sur plaquettes isolantessont conçus pour fournir des solutions hautes performances, soutenant la prochaine vague d'innovation dans la technologie des semi-conducteurs. Que vous travailliez sur des cavitésplaquettes SOI, des dispositifs MEMS ou des composants en silicium sur isolant, Semicera propose des plaquettes qui répondent aux normes les plus élevées de l'industrie.
| Articles | Production | Recherche | Factice |
| Paramètres du cristal | |||
| Polytype | 4H | ||
| Erreur d'orientation de la surface | <11-20 >4±0,15° | ||
| Paramètres électriques | |||
| Dopant | Azote de type n | ||
| Résistivité | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Paramètres mécaniques | |||
| Diamètre | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Épaisseur | 350 ± 25 μm | ||
| Orientation principale à plat | [1-100]±5° | ||
| Longueur à plat primaire | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Appartement secondaire | Aucun | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arc | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Chaîne | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosité avant (face Si) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
| Structure | |||
| Densité des microtubes | <1 pièce/cm2 | <10 pièce/cm2 | <15 pièce/cm2 |
| Impuretés métalliques | ≤5E10atomes/cm2 | NA | |
| TPB | ≤1500 pièce/cm2 | ≤3000 pièce/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 pièce/cm2 | ≤1000 pièce/cm2 | NA |
| Qualité avant | |||
| Devant | Si | ||
| Finition superficielle | Si-face CMP | ||
| Particules | ≤60ea/plaquette (taille≥0,3μm) | NA | |
| Rayures | ≤5 unités/mm. Longueur cumulée ≤Diamètre | Longueur cumulée≤2*Diamètre | NA |
| Peau d'orange/piqûres/taches/striations/fissures/contamination | Aucun | NA | |
| Copeaux de bord/empreintes/fracture/plaques hexagonales | Aucun | ||
| Zones polytypes | Aucun | Superficie cumulée≤20 % | Superficie cumulée≤30 % |
| Marquage laser frontal | Aucun | ||
| Retour Qualité | |||
| Finition arrière | CMP face C | ||
| Rayures | ≤5ea/mm, longueur cumulée≤2*Diamètre | NA | |
| Défauts arrière (éclats de bord/empreintes) | Aucun | ||
| Rugosité du dos | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
| Marquage laser au dos | 1 mm (à partir du bord supérieur) | ||
| Bord | |||
| Bord | Chanfreiner | ||
| Conditionnement | |||
| Conditionnement | Epi-ready avec emballage sous vide Conditionnement de cassettes multi-wafers | ||
| *Remarques : « NA » signifie aucune demande. Les éléments non mentionnés peuvent faire référence à SEMI-STD. | |||
