La plaquette de silicium sur isolant (SOI) de Semicera est à la pointe de l'innovation en matière de semi-conducteurs, offrant une isolation électrique améliorée et des performances thermiques supérieures. La structure SOI, constituée d'une fine couche de silicium sur un substrat isolant, offre des avantages essentiels pour les dispositifs électroniques hautes performances.
Nos plaquettes SOI sont conçues pour minimiser la capacité parasite et les courants de fuite, ce qui est essentiel pour le développement de circuits intégrés à grande vitesse et à faible consommation. Cette technologie avancée garantit que les appareils fonctionnent plus efficacement, avec une vitesse améliorée et une consommation d’énergie réduite, ce qui est crucial pour l’électronique moderne.
Les processus de fabrication avancés utilisés par Semicera garantissent la production de plaquettes SOI avec une excellente uniformité et cohérence. Cette qualité est vitale pour les applications dans les domaines des télécommunications, de l'automobile et de l'électronique grand public, où des composants fiables et performants sont requis.
En plus de leurs avantages électriques, les plaquettes SOI de Semicera offrent une isolation thermique supérieure, améliorant la dissipation thermique et la stabilité dans les dispositifs haute densité et haute puissance. Cette fonctionnalité est particulièrement utile dans les applications qui impliquent une génération de chaleur importante et nécessitent une gestion thermique efficace.
En choisissant la plaquette de silicium sur isolant de Semicera, vous investissez dans un produit qui prend en charge l'avancement des technologies de pointe. Notre engagement envers la qualité et l'innovation garantit que nos plaquettes SOI répondent aux exigences rigoureuses de l'industrie actuelle des semi-conducteurs, constituant ainsi la base des appareils électroniques de nouvelle génération.
Articles | Production | Recherche | Factice |
Paramètres du cristal | |||
Polytype | 4H | ||
Erreur d'orientation de la surface | <11-20 >4±0,15° | ||
Paramètres électriques | |||
Dopant | Azote de type n | ||
Résistivité | 0,015-0,025ohm·cm | ||
Paramètres mécaniques | |||
Diamètre | 150,0 ± 0,2 mm | ||
Épaisseur | 350 ± 25 μm | ||
Orientation principale à plat | [1-100]±5° | ||
Longueur à plat primaire | 47,5 ± 1,5 mm | ||
Appartement secondaire | Aucun | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
Arc | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
Chaîne | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Rugosité avant (face Si) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
Structure | |||
Densité des microtubes | <1 pièce/cm2 | <10 pièce/cm2 | <15 pièce/cm2 |
Impuretés métalliques | ≤5E10atomes/cm2 | NA | |
TPB | ≤1500 pièce/cm2 | ≤3000 pièce/cm2 | NA |
TSD | ≤500 pièce/cm2 | ≤1000 pièce/cm2 | NA |
Qualité avant | |||
Devant | Si | ||
Finition superficielle | Si-face CMP | ||
Particules | ≤60ea/plaquette (taille≥0,3μm) | NA | |
Rayures | ≤5 unités/mm. Longueur cumulée ≤Diamètre | Longueur cumulée≤2*Diamètre | NA |
Peau d'orange/piqûres/taches/striations/fissures/contamination | Aucun | NA | |
Copeaux de bord/empreintes/fracture/plaques hexagonales | Aucun | ||
Zones polytypes | Aucun | Superficie cumulée≤20 % | Superficie cumulée≤30 % |
Marquage laser frontal | Aucun | ||
Retour Qualité | |||
Finition arrière | CMP face C | ||
Rayures | ≤5ea/mm, longueur cumulée≤2*Diamètre | NA | |
Défauts arrière (éclats de bord/empreintes) | Aucun | ||
Rugosité du dos | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
Marquage laser au dos | 1 mm (à partir du bord supérieur) | ||
Bord | |||
Bord | Chanfreiner | ||
Conditionnement | |||
Conditionnement | Epi-ready avec emballage sous vide Conditionnement de cassettes multi-wafers | ||
*Remarques : « NA » signifie aucune demande. Les éléments non mentionnés peuvent faire référence à SEMI-STD. |