Plaquette de silicium sur isolant

Brève description :

La plaquette de silicium sur isolant (SOI) de Semicera offre une isolation électrique et une gestion thermique exceptionnelles pour les applications hautes performances. Conçues pour offrir une efficacité et une fiabilité supérieures aux dispositifs, ces tranches constituent un choix de premier ordre pour la technologie avancée des semi-conducteurs. Choisissez Semicera pour des solutions de pointe en matière de plaquettes SOI.


Détail du produit

Mots clés du produit

La plaquette de silicium sur isolant (SOI) de Semicera est à la pointe de l'innovation en matière de semi-conducteurs, offrant une isolation électrique améliorée et des performances thermiques supérieures. La structure SOI, constituée d'une fine couche de silicium sur un substrat isolant, offre des avantages essentiels pour les dispositifs électroniques hautes performances.

Nos plaquettes SOI sont conçues pour minimiser la capacité parasite et les courants de fuite, ce qui est essentiel pour le développement de circuits intégrés à grande vitesse et à faible consommation. Cette technologie avancée garantit que les appareils fonctionnent plus efficacement, avec une vitesse améliorée et une consommation d’énergie réduite, ce qui est crucial pour l’électronique moderne.

Les processus de fabrication avancés utilisés par Semicera garantissent la production de plaquettes SOI avec une excellente uniformité et cohérence. Cette qualité est vitale pour les applications dans les domaines des télécommunications, de l'automobile et de l'électronique grand public, où des composants fiables et performants sont requis.

En plus de leurs avantages électriques, les plaquettes SOI de Semicera offrent une isolation thermique supérieure, améliorant la dissipation thermique et la stabilité dans les dispositifs haute densité et haute puissance. Cette fonctionnalité est particulièrement utile dans les applications qui impliquent une génération de chaleur importante et nécessitent une gestion thermique efficace.

En choisissant la plaquette de silicium sur isolant de Semicera, vous investissez dans un produit qui prend en charge l'avancement des technologies de pointe. Notre engagement envers la qualité et l'innovation garantit que nos plaquettes SOI répondent aux exigences rigoureuses de l'industrie actuelle des semi-conducteurs, constituant ainsi la base des appareils électroniques de nouvelle génération.

Articles

Production

Recherche

Factice

Paramètres du cristal

Polytype

4H

Erreur d'orientation de la surface

<11-20 >4±0,15°

Paramètres électriques

Dopant

Azote de type n

Résistivité

0,015-0,025ohm·cm

Paramètres mécaniques

Diamètre

150,0 ± 0,2 mm

Épaisseur

350 ± 25 μm

Orientation principale à plat

[1-100]±5°

Longueur à plat primaire

47,5 ± 1,5 mm

Appartement secondaire

Aucun

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm(5mm*5mm)

≤5 μm(5mm*5mm)

≤10 μm(5mm*5mm)

Arc

-15 μm ~ 15 μm

-35 μm ~ 35 μm

-45 μm ~ 45 μm

Chaîne

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugosité avant (face Si) (AFM)

Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm)

Structure

Densité des microtubes

<1 pièce/cm2

<10 pièce/cm2

<15 pièce/cm2

Impuretés métalliques

≤5E10atomes/cm2

NA

TPB

≤1500 pièce/cm2

≤3000 pièce/cm2

NA

TSD

≤500 pièce/cm2

≤1000 pièce/cm2

NA

Qualité avant

Devant

Si

Finition superficielle

Si-face CMP

Particules

≤60ea/plaquette (taille≥0,3μm)

NA

Rayures

≤5 unités/mm. Longueur cumulée ≤Diamètre

Longueur cumulée≤2*Diamètre

NA

Peau d'orange/piqûres/taches/striations/fissures/contamination

Aucun

NA

Copeaux de bord/empreintes/fracture/plaques hexagonales

Aucun

Zones polytypes

Aucun

Superficie cumulée≤20 %

Superficie cumulée≤30 %

Marquage laser frontal

Aucun

Retour Qualité

Finition arrière

CMP face C

Rayures

≤5ea/mm, longueur cumulée≤2*Diamètre

NA

Défauts arrière (éclats de bord/empreintes)

Aucun

Rugosité du dos

Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm)

Marquage laser au dos

1 mm (à partir du bord supérieur)

Bord

Bord

Chanfreiner

Conditionnement

Conditionnement

Epi-ready avec emballage sous vide

Conditionnement de cassettes multi-wafers

*Remarques : « NA » signifie aucune demande. Les éléments non mentionnés peuvent faire référence à SEMI-STD.

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