Présentation du produit
LePalette et support de plaquette en carbure de silicium (SiC) imprégné de siliciumest conçu pour répondre aux exigences exigeantes des applications de traitement thermique des semi-conducteurs. Fabriqué à partir de SiC de haute pureté et amélioré grâce à une imprégnation de silicium, ce produit offre une combinaison unique de performances à haute température, d'excellente conductivité thermique, de résistance à la corrosion et de résistance mécanique exceptionnelle.
En intégrant une science avancée des matériaux à une fabrication de précision, cette solution garantit des performances, une fiabilité et une durabilité supérieures aux fabricants de semi-conducteurs.
Principales fonctionnalités
1.Résistance exceptionnelle aux hautes températures
Avec un point de fusion supérieur à 2 700 °C, les matériaux SiC sont intrinsèquement stables sous des températures extrêmes. L'imprégnation au silicium améliore encore leur stabilité thermique, leur permettant de résister à une exposition prolongée à des températures élevées sans affaiblissement structurel ni dégradation des performances.
2.Conductivité thermique supérieure
La conductivité thermique exceptionnelle du SiC imprégné de silicium assure une répartition uniforme de la chaleur, réduisant ainsi le stress thermique pendant les étapes critiques du traitement. Cette propriété prolonge la durée de vie de l'équipement et minimise les temps d'arrêt de la production, ce qui le rend idéal pour le traitement thermique à haute température.
3.Résistance à l'oxydation et à la corrosion
Une couche robuste d'oxyde de silicium se forme naturellement à la surface, offrant une résistance exceptionnelle à l'oxydation et à la corrosion. Cela garantit une fiabilité à long terme dans des environnements d’exploitation difficiles, protégeant à la fois le matériau et les composants environnants.
4.Haute résistance mécanique et résistance à l'usure
Le SiC imprégné de silicium présente une excellente résistance à la compression et à l'usure, conservant son intégrité structurelle dans des conditions de charge élevée et de température élevée. Cela réduit le risque de dommages liés à l'usure, garantissant des performances constantes sur des cycles d'utilisation prolongés.
Caractéristiques
| Nom du produit | SC-RSiC-Si |
| Matériel | Imprégnation de silicium Carbure de silicium compact (haute pureté) |
| Applications | Pièces de traitement thermique de semi-conducteurs, pièces d'équipement de fabrication de semi-conducteurs |
| Formulaire de livraison | Corps moulé (corps fritté) |
| Composition | Propriété mécanique | Module de Young (GPa) | Résistance à la flexion (MPa) | ||
| Composition (% en volume) | α-SiC | α-SiC | RT | 370 | 250 |
| 82 | 18 | 800°C | 360 | 220 | |
| Densité apparente (kg/m³) | 3,02 x 103 | 1200°C | 340 | 220 | |
| Température de résistance à la chaleur°C | 1350 | Coefficient de Poisson | 0,18 (RT) | ||
| Propriété thermique | Conductivité thermique (W/(m·K)) | Capacité thermique spécifique (kJ/(kg·K)) | Coefficient de dilatation thermique (1/K) | ||
| RT | 220 | 0,7 | TA~700°C | 3,4 x 10-6 | |
| 700°C | 60 | 1.23 | 700~1200°C | 4,3x10-6 | |
| Teneur en impuretés ((ppm) | |||||||||||||
| Élément | Fe | Ni | Na | K | Mg | Ca | Cr | Mn | Zn | Cu | Ti | Va | Ai |
| Taux de contenu | 3 | <2 | <0,5 | <0,1 | <1 | 5 | 0,3 | <0,1 | <0,1 | <0,1 | <0,3 | <0,3 | 25 |
Applications
▪Traitement thermique des semi-conducteurs :Idéal pour les processus tels que le dépôt chimique en phase vapeur (CVD), la croissance épitaxiale et le recuit, où un contrôle précis de la température et la durabilité des matériaux sont essentiels.
▪Supports de plaquettes et palettes :Conçu pour maintenir et transporter en toute sécurité les plaquettes pendant les traitements thermiques à haute température.
▪Environnements opérationnels extrêmes : Convient aux environnements nécessitant une résistance à la chaleur, à l’exposition chimique et aux contraintes mécaniques.
Avantages du SiC imprégné de silicium
La combinaison du carbure de silicium de haute pureté et de la technologie avancée d'imprégnation du silicium offre des avantages en termes de performances inégalés :
▪Précision:Améliore la précision et le contrôle du traitement des semi-conducteurs.
▪Stabilité:Résiste aux environnements difficiles sans compromettre la fonctionnalité.
▪Longévité:Prolonge la durée de vie des équipements de fabrication de semi-conducteurs.
▪Efficacité:Améliore la productivité en garantissant des résultats fiables et cohérents.
Pourquoi choisir nos solutions SiC imprégnées de silicium ?
At Semicera, nous sommes spécialisés dans la fourniture de solutions hautes performances adaptées aux besoins des fabricants de semi-conducteurs. Nos palettes et supports de plaquettes en carbure de silicium imprégnés de silicium sont soumis à des tests rigoureux et à une assurance qualité pour répondre aux normes de l'industrie. En choisissant Semicera, vous accédez à des matériaux de pointe conçus pour optimiser vos processus de fabrication et améliorer vos capacités de production.
Spécifications techniques
▪Composition du matériau :Carbure de silicium de haute pureté avec imprégnation de silicium.
▪Plage de température de fonctionnement :Jusqu'à 2700°C.
▪ Conductivité thermique :Exceptionnellement élevé pour une répartition uniforme de la chaleur.
▪Propriétés de résistance :Résistant à l'oxydation, à la corrosion et à l'usure.
▪Applications :Compatible avec divers systèmes de traitement thermique des semi-conducteurs.
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