Le film de silicium de Semicera est un matériau de haute qualité conçu avec précision pour répondre aux exigences strictes de l'industrie des semi-conducteurs. Fabriquée à partir de silicium pur, cette solution en couche mince offre une excellente uniformité, une grande pureté et des propriétés électriques et thermiques exceptionnelles. Il est idéal pour une utilisation dans diverses applications de semi-conducteurs, notamment la production de Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate et Epi-Wafer. Le film de silicium de Semicera garantit des performances fiables et constantes, ce qui en fait un matériau essentiel pour la microélectronique avancée.
Qualité et performances supérieures pour la fabrication de semi-conducteurs
Le film de silicium de Semicera est connu pour sa résistance mécanique exceptionnelle, sa stabilité thermique élevée et ses faibles taux de défauts, qui sont tous cruciaux dans la fabrication de semi-conducteurs hautes performances. Qu'il soit utilisé dans la production de dispositifs à l'oxyde de gallium (Ga2O3), de plaquettes AlN ou d'Epi-Wafers, le film constitue une base solide pour le dépôt de couches minces et la croissance épitaxiale. Sa compatibilité avec d'autres substrats semi-conducteurs tels que le substrat SiC et les plaquettes SOI garantit une intégration transparente dans les processus de fabrication existants, contribuant ainsi à maintenir des rendements élevés et une qualité de produit constante.
Applications dans l'industrie des semi-conducteurs
Dans l'industrie des semi-conducteurs, le film de silicium de Semicera est utilisé dans un large éventail d'applications, depuis la production de plaquettes Si et de plaquettes SOI jusqu'à des utilisations plus spécialisées telles que la création de substrats SiN et d'Epi-Wafer. La grande pureté et la précision de ce film le rendent essentiel dans la production de composants avancés utilisés dans tous les domaines, des microprocesseurs et circuits intégrés aux dispositifs optoélectroniques.
Le film de silicium joue un rôle essentiel dans les processus de semi-conducteurs tels que la croissance épitaxiale, la liaison de tranches et le dépôt de couches minces. Ses propriétés fiables sont particulièrement précieuses pour les industries qui nécessitent des environnements hautement contrôlés, comme les salles blanches des usines de fabrication de semi-conducteurs. De plus, le film de silicium peut être intégré aux systèmes de cassettes pour une manipulation et un transport efficaces des plaquettes pendant la production.
Fiabilité et cohérence à long terme
L'un des principaux avantages de l'utilisation du film de silicium de Semicera est sa fiabilité à long terme. Avec son excellente durabilité et sa qualité constante, ce film constitue une solution fiable pour les environnements de production à haut volume. Qu'il soit utilisé dans des dispositifs semi-conducteurs de haute précision ou dans des applications électroniques avancées, le film de silicium de Semicera garantit que les fabricants peuvent atteindre des performances et une fiabilité élevées sur une large gamme de produits.
Pourquoi choisir le film de silicium de Semicera ?
Le film de silicium de Semicera est un matériau essentiel pour les applications de pointe dans l'industrie des semi-conducteurs. Ses propriétés de haute performance, notamment une excellente stabilité thermique, une grande pureté et une résistance mécanique, en font le choix idéal pour les fabricants cherchant à atteindre les normes les plus élevées en matière de production de semi-conducteurs. De la plaquette Si et du substrat SiC à la production de dispositifs à l'oxyde de gallium Ga2O3, ce film offre une qualité et des performances inégalées.
Avec le film de silicium de Semicera, vous pouvez faire confiance à un produit qui répond aux besoins de la fabrication moderne de semi-conducteurs, fournissant une base fiable pour la prochaine génération d'électronique.
| Articles | Production | Recherche | Factice |
| Paramètres du cristal | |||
| Polytype | 4H | ||
| Erreur d'orientation de la surface | <11-20 >4±0,15° | ||
| Paramètres électriques | |||
| Dopant | Azote de type n | ||
| Résistivité | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Paramètres mécaniques | |||
| Diamètre | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Épaisseur | 350 ± 25 μm | ||
| Orientation principale à plat | [1-100]±5° | ||
| Longueur à plat primaire | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Appartement secondaire | Aucun | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arc | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Chaîne | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosité avant (face Si) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
| Structure | |||
| Densité des microtubes | <1 pièce/cm2 | <10 pièce/cm2 | <15 pièce/cm2 |
| Impuretés métalliques | ≤5E10atomes/cm2 | NA | |
| TPB | ≤1500 pièce/cm2 | ≤3000 pièce/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 pièce/cm2 | ≤1000 pièce/cm2 | NA |
| Qualité avant | |||
| Devant | Si | ||
| Finition superficielle | Si-face CMP | ||
| Particules | ≤60ea/plaquette (taille≥0,3μm) | NA | |
| Rayures | ≤5 unités/mm. Longueur cumulée ≤Diamètre | Longueur cumulée≤2*Diamètre | NA |
| Peau d'orange/piqûres/taches/striations/fissures/contamination | Aucun | NA | |
| Copeaux de bord/empreintes/fracture/plaques hexagonales | Aucun | ||
| Zones polytypes | Aucun | Superficie cumulée≤20 % | Superficie cumulée≤30 % |
| Marquage laser frontal | Aucun | ||
| Retour Qualité | |||
| Finition arrière | CMP face C | ||
| Rayures | ≤5ea/mm, longueur cumulée≤2*Diamètre | NA | |
| Défauts arrière (éclats de bord/empreintes) | Aucun | ||
| Rugosité du dos | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
| Marquage laser au dos | 1 mm (à partir du bord supérieur) | ||
| Bord | |||
| Bord | Chanfreiner | ||
| Conditionnement | |||
| Conditionnement | Epi-ready avec emballage sous vide Conditionnement de cassettes multi-wafers | ||
| *Remarques : « NA » signifie aucune demande. Les éléments non mentionnés peuvent faire référence à SEMI-STD. | |||
