Description
LeSuscepteurs de plaquettes en carbure de silicium (SiC)pour MOCVD de semicera sont conçus pour les processus épitaxiaux avancés, offrant des performances supérieures à la foisSi EpitaxieetEpitaxie SiCcandidatures. L'approche innovante de Semicera garantit que ces suscepteurs sont durables et efficaces, offrant stabilité et précision pour les opérations de fabrication critiques.
Conçu pour répondre aux besoins complexes deSuscepteur MOCVDsystèmes, ces produits sont polyvalents, compatibles avec des supports tels que PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier et RTP Carrier. Leur flexibilité les rend adaptés aux industries de haute technologie, y compris celles travaillant avecLED épitaxialeSuscepteur et silicium monocristallin.
Avec plusieurs configurations, notamment Barrel Susceptor et Pancake Susceptor, ces suscepteurs de plaquettes sont également essentiels dans le secteur photovoltaïque, prenant en charge la fabrication de pièces photovoltaïques. Pour les fabricants de semi-conducteurs, la capacité à gérer les processus d'épitaxie GaN sur SiC rend ces suscepteurs très précieux pour garantir une sortie de haute qualité dans une large gamme d'applications.
Principales caractéristiques
1. Graphite enduit de SiC de haute pureté
2. Résistance thermique supérieure et uniformité thermique
3. BienRevêtement en cristal SiCpour une surface lisse
4. Haute durabilité contre le nettoyage chimique
Principales spécifications des revêtements CVD-SIC :
| SiC-CVD | ||
| Densité | (g/cc) | 3.21 |
| Résistance à la flexion | (MPa) | 470 |
| Dilatation thermique | (10-6/K) | 4 |
| Conductivité thermique | (W/mK) | 300 |
Emballage et expédition
Capacité d'approvisionnement :
10000 pièces/pièces par mois
Emballage et livraison :
Emballage : emballage standard et solide
Poly sac + Boîte + Carton + Palette
Port:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Délai de mise en œuvre:
| Quantité (pièces) | 1-1000 | >1000 |
| HNE. Temps (jours) | 30 | A négocier |
