Description du produit
Notre société fournit des services de processus de revêtement SiC par méthode CVD sur la surface du graphite, de la céramique et d'autres matériaux, de sorte que des gaz spéciaux contenant du carbone et du silicium réagissent à haute température pour obtenir des molécules SiC de haute pureté, des molécules déposées à la surface des matériaux revêtus, formant une couche protectrice SIC.
Principales caractéristiques :
1. Résistance à l’oxydation à haute température :
la résistance à l'oxydation est encore très bonne lorsque la température atteint 1600 C.
2. Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur dans des conditions de chloration à haute température.
3. Résistance à l'érosion : dureté élevée, surface compacte, particules fines.
4. Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.
Principales spécifications du revêtement CVD-SIC
| Propriétés SiC-CVD | ||
| Structure cristalline | Phase β du FCC | |
| Densité | g/cm³ | 3.21 |
| Dureté | Dureté Vickers | 2500 |
| Taille des grains | µm | 2~10 |
| Pureté chimique | % | 99.99995 |
| Capacité thermique | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Température de sublimation | ℃ | 2700 |
| Force de flexion | MPa (RT 4 points) | 415 |
| Module de Young | Gpa (courbure 4pt, 1300℃) | 430 |
| Expansion thermique (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Conductivité thermique | (W/mK) | 300 |
-
Réacteur épitaxial à semi-conducteurs revêtus de SiC pour ...
-
Support de plaquette en carbure de silicium
-
Pomme de douche métallique
-
Carbure de tantale de haute qualité et rentable...
-
Maximisez le rendement et les performances avec les semi-céras...
-
Bateau de plaquette de carbure de silicium semi-conducteur