SemiceraEpitaxie au carbure de siliciumest conçu pour répondre aux exigences rigoureuses des applications modernes de semi-conducteurs. En utilisant des techniques avancées de croissance épitaxiale, nous garantissons que chaque couche de carbure de silicium présente une qualité cristalline, une uniformité et une densité de défauts minimales exceptionnelles. Ces caractéristiques sont cruciales pour développer une électronique de puissance haute performance, où l’efficacité et la gestion thermique sont primordiales.
LeEpitaxie au carbure de siliciumLe processus de Semicera est optimisé pour produire des couches épitaxiales avec un contrôle précis de l'épaisseur et du dopage, garantissant des performances constantes sur une gamme de dispositifs. Ce niveau de précision est essentiel pour les applications dans les véhicules électriques, les systèmes d'énergie renouvelable et les communications haute fréquence, où la fiabilité et l'efficacité sont essentielles.
De plus, SemiceraEpitaxie au carbure de siliciumoffre une conductivité thermique améliorée et une tension de claquage plus élevée, ce qui en fait le choix préféré pour les appareils fonctionnant dans des conditions extrêmes. Ces propriétés contribuent à prolonger la durée de vie des appareils et à améliorer l'efficacité globale du système, en particulier dans les environnements à haute puissance et à haute température.
Semicera propose également des options de personnalisation pourEpitaxie au carbure de silicium, permettant des solutions sur mesure qui répondent aux exigences spécifiques des appareils. Que ce soit pour la recherche ou la production à grande échelle, nos couches épitaxiales sont conçues pour prendre en charge la prochaine génération d'innovations en matière de semi-conducteurs, permettant le développement de dispositifs électroniques plus puissants, efficaces et fiables.
En intégrant une technologie de pointe et des processus de contrôle qualité rigoureux, Semicera garantit que nosEpitaxie au carbure de siliciumles produits non seulement respectent, mais dépassent les normes de l'industrie. Cet engagement envers l'excellence fait de nos couches épitaxiales la base idéale pour les applications avancées de semi-conducteurs, ouvrant la voie à des percées dans les domaines de l'électronique de puissance et de l'optoélectronique.
| Articles | Production | Recherche | Factice |
| Paramètres du cristal | |||
| Polytype | 4H | ||
| Erreur d'orientation de la surface | <11-20 >4±0,15° | ||
| Paramètres électriques | |||
| Dopant | Azote de type n | ||
| Résistivité | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Paramètres mécaniques | |||
| Diamètre | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Épaisseur | 350 ± 25 μm | ||
| Orientation principale à plat | [1-100]±5° | ||
| Longueur à plat primaire | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Appartement secondaire | Aucun | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arc | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Chaîne | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosité avant (face Si) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
| Structure | |||
| Densité des microtubes | <1 pièce/cm2 | <10 pièce/cm2 | <15 pièce/cm2 |
| Impuretés métalliques | ≤5E10atomes/cm2 | NA | |
| TPB | ≤1500 pièce/cm2 | ≤3000 pièce/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 pièce/cm2 | ≤1000 pièce/cm2 | NA |
| Qualité avant | |||
| Devant | Si | ||
| Finition superficielle | Si-face CMP | ||
| Particules | ≤60ea/plaquette (taille≥0,3μm) | NA | |
| Rayures | ≤5 unités/mm. Longueur cumulée ≤Diamètre | Longueur cumulée≤2*Diamètre | NA |
| Peau d'orange/piqûres/taches/striations/fissures/contamination | Aucun | NA | |
| Copeaux de bord/empreintes/fracture/plaques hexagonales | Aucun | ||
| Zones polytypes | Aucun | Superficie cumulée≤20 % | Superficie cumulée≤30 % |
| Marquage laser frontal | Aucun | ||
| Retour Qualité | |||
| Finition arrière | CMP face C | ||
| Rayures | ≤5ea/mm, longueur cumulée≤2*Diamètre | NA | |
| Défauts arrière (éclats de bord/empreintes) | Aucun | ||
| Rugosité du dos | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
| Marquage laser au dos | 1 mm (à partir du bord supérieur) | ||
| Bord | |||
| Bord | Chanfreiner | ||
| Conditionnement | |||
| Conditionnement | Epi-ready avec emballage sous vide Conditionnement de cassettes multi-wafers | ||
| *Remarques : « NA » signifie aucune demande. Les éléments non mentionnés peuvent faire référence à SEMI-STD. | |||
