La SemiceraPalette de plaquettes en porte-à-faux SiCest conçu pour répondre aux exigences de la fabrication moderne de semi-conducteurs. Cepalette de plaquettesoffre une excellente résistance mécanique et thermique, ce qui est essentiel pour la manipulation des plaquettes dans des environnements à haute température.
La conception en porte-à-faux SiC permet un placement précis des plaquettes, réduisant ainsi le risque de dommages lors de la manipulation. Sa conductivité thermique élevée garantit que la plaquette reste stable même dans des conditions extrêmes, ce qui est essentiel pour maintenir l'efficacité de la production.
En plus de ses avantages structurels, le système SemiceraPalette de plaquettes en porte-à-faux SiCoffre également des avantages en termes de poids et de durabilité. La construction légère facilite la manipulation et l'intégration dans les systèmes existants, tandis que le matériau SiC haute densité garantit une durabilité durable dans des conditions exigeantes.
| Propriétés physiques du carbure de silicium recristallisé | |
| Propriété | Valeur typique |
| Température de travail (°C) | 1600°C (avec oxygène), 1700°C (environnement réducteur) |
| Contenu SiC | > 99,96% |
| Contenu Si gratuit | < 0,1% |
| Densité apparente | 2,60-2,70 g/cm3 |
| Porosité apparente | < 16% |
| Résistance à la compression | > 600 MPa |
| Résistance à la flexion à froid | 80-90 MPa (20°C) |
| Résistance à la flexion à chaud | 90-100 MPa (1 400 °C) |
| Dilatation thermique à 1 500 °C | 4,70 10-6/°C |
| Conductivité thermique à 1200°C | 23 W/m•K |
| Module élastique | 240 GPa |
| Résistance aux chocs thermiques | Extrêmement bien |
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