La bague de mise au point en SiC solide de Semicera est un composant de pointe conçu pour répondre aux exigences de la fabrication avancée de semi-conducteurs. Fabriqué à partir de haute puretéCarbure de silicium (SiC), cette bague de mise au point est idéale pour une large gamme d'applications dans l'industrie des semi-conducteurs, notamment dansProcessus CVD SiC, gravure au plasma, etPCIRIE (Gravure ionique réactive au plasma à couplage inductif). Connu pour sa résistance exceptionnelle à l’usure, sa stabilité thermique élevée et sa pureté, il garantit des performances durables dans des environnements très sollicités.
En semi-conducteurtrancheLors du traitement, les bagues de mise au point en SiC solide sont essentielles au maintien d'une gravure précise lors des applications de gravure sèche et de gravure de tranches. La bague de focalisation SiC aide à focaliser le plasma lors de processus tels que les opérations de la machine de gravure au plasma, ce qui la rend indispensable pour la gravure des tranches de silicium. Le matériau SiC solide offre une résistance inégalée à l'érosion, garantissant la longévité de votre équipement et minimisant les temps d'arrêt, ce qui est essentiel pour maintenir un débit élevé dans la fabrication de semi-conducteurs.
La bague de mise au point en SiC solide de Semicera est conçue pour résister aux températures extrêmes et aux produits chimiques agressifs couramment rencontrés dans l'industrie des semi-conducteurs. Il est spécialement conçu pour être utilisé dans des tâches de haute précision telles queRevêtements CVD SiC, où la pureté et la durabilité sont primordiales. Avec une excellente résistance aux chocs thermiques, ce produit garantit des performances constantes et stables dans les conditions les plus difficiles, y compris l'exposition à des températures élevées pendanttrancheprocessus de gravure.
Dans les applications de semi-conducteurs, où la précision et la fiabilité sont essentielles, la bague de focalisation en SiC solide joue un rôle central dans l'amélioration de l'efficacité globale des processus de gravure. Sa conception robuste et hautes performances en fait le choix idéal pour les industries nécessitant des composants de haute pureté fonctionnant dans des conditions extrêmes. Qu'il soit utilisé dansAnneau CVD SiCapplications ou dans le cadre du processus de gravure au plasma, la bague de focalisation en SiC solide de Semicera aide à optimiser les performances de votre équipement, offrant la longévité et la fiabilité qu'exigent vos processus de production.
Principales caractéristiques :
• Résistance supérieure à l'usure et stabilité thermique élevée
• Matériau SiC solide de haute pureté pour une durée de vie prolongée
• Idéal pour les applications de gravure au plasma, ICP RIE et de gravure sèche
• Parfait pour la gravure de plaquettes, en particulier dans les processus CVD SiC
• Performances fiables dans des environnements extrêmes et des températures élevées
• Assure la précision et l'efficacité de la gravure des tranches de silicium
Applications :
• Processus CVD SiC dans la fabrication de semi-conducteurs
• Systèmes de gravure plasma et ICP RIE
• Procédés de gravure à sec et de gravure de tranches
• Gravure et dépôt dans des machines de gravure plasma
• Composants de précision pour anneaux de plaquettes et anneaux CVD SiC
Morphologie microscopique de la surface CVD SiC
Morphologie microscopique de la section transversale CVD SiC
