Couvercles recouverts de carbure de tantale

Brève description :

Avec l'avènement des tranches de carbure de silicium (SiC) de 8 pouces, les exigences relatives à divers processus de semi-conducteurs sont devenues de plus en plus strictes, en particulier pour les processus d'épitaxie où les températures peuvent dépasser 2 000 degrés Celsius. Les matériaux suscepteurs traditionnels, tels que le graphite recouvert de carbure de silicium, ont tendance à se sublimer à ces températures élevées, perturbant ainsi le processus d'épitaxie. Cependant, le carbure de tantale CVD (TaC) résout efficacement ce problème, en résistant à des températures allant jusqu'à 2 300 degrés Celsius et en offrant une durée de vie plus longue. Contacter Semicera's Couvercles recouverts de carbure de tantalepour en savoir plus sur nos solutions avancées.

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Détail du produit

Mots clés du produit

Semicera fournit des revêtements spécialisés en carbure de tantale (TaC) pour divers composants et supports.Le procédé de revêtement de pointe Semicera permet aux revêtements en carbure de tantale (TaC) d'atteindre une pureté élevée, une stabilité à haute température et une tolérance chimique élevée, améliorant ainsi la qualité des produits des cristaux SIC/GAN et des couches EPI (Suscepteur TaC recouvert de graphite) et prolonger la durée de vie des composants clés du réacteur. L'utilisation du revêtement TaC en carbure de tantale vise à résoudre le problème des bords et à améliorer la qualité de la croissance cristalline, et Semicera a résolu de manière révolutionnaire la technologie de revêtement en carbure de tantale (CVD), atteignant le niveau avancé international.

Avec l'avènement des tranches de carbure de silicium (SiC) de 8 pouces, les exigences relatives à divers processus de semi-conducteurs sont devenues de plus en plus strictes, en particulier pour les processus d'épitaxie où les températures peuvent dépasser 2 000 degrés Celsius. Les matériaux suscepteurs traditionnels, tels que le graphite recouvert de carbure de silicium, ont tendance à se sublimer à ces températures élevées, perturbant ainsi le processus d'épitaxie. Cependant, le carbure de tantale CVD (TaC) résout efficacement ce problème, en résistant à des températures allant jusqu'à 2 300 degrés Celsius et en offrant une durée de vie plus longue. Contactez les couvercles recouverts de carbure de tantale de Semicera pour en savoir plus sur nos solutions avancées.

Après des années de développement, Semicera a conquis la technologie deTaC MCVavec les efforts conjoints du département R&D. Il est facile de constater des défauts lors du processus de croissance des plaquettes SiC, mais après utilisationTaC, la différence est significative. Vous trouverez ci-dessous une comparaison des plaquettes avec et sans TaC, ainsi que des pièces Simicera pour la croissance monocristalline.

Le revêtement en carbure de tantale à haute efficacité améliore l'efficacité de la production industrielle et réduit les coûts de maintenance.

Pièce Tac pour monocristal de croissance

Revêtement anti-usure en carbure de tantale_ Protège l'équipement de l'usure et de la corrosion.

Graphite avec anneau recouvert de TaC

avec et sans TaC

Après avoir utilisé TaC (à droite)

De plus, SemiceraProduits revêtus de TaCprésentent une durée de vie plus longue et une plus grande résistance aux températures élevées par rapport àRevêtements SiC.Des mesures en laboratoire ont démontré que notreRevêtements TaCpeut fonctionner de manière constante à des températures allant jusqu'à 2 300 degrés Celsius pendant de longues périodes. Vous trouverez ci-dessous quelques exemples de nos échantillons :