Suscepteur de plaquette de graphite à revêtement SiC

1. Propriétés matérielles supérieuresConstruits à partir de SiC de haute qualité, nos suscepteurs de tranches présentent une conductivité thermique et une résistance chimique exceptionnelles. Ces propriétés leur permettent de résister aux conditions extrêmes des processus MOCVD, notamment aux températures élevées et aux gaz corrosifs, garantissant ainsi longévité et performances fiables.

2. Précision dans le dépôt épitaxialL'ingénierie précise de nos suscepteurs de tranche SiC garantit une répartition uniforme de la température sur toute la surface de la tranche, facilitant ainsi une croissance de couche épitaxiale constante et de haute qualité. Cette précision est essentielle pour produire des semi-conducteurs dotés de propriétés électriques optimales.

3. Durabilité amélioréeLe matériau SiC robuste offre une excellente résistance à l’usure et à la dégradation, même en cas d’exposition continue à des environnements de processus difficiles. Cette durabilité réduit la fréquence de remplacement des suscepteurs, minimisant ainsi les temps d'arrêt et les coûts opérationnels.