Suscepteur en graphite avec support de plaquette à revêtement en carbure de silicium

Le revêtement CVD-SiC présente les caractéristiques d'une structure uniforme, d'un matériau compact, d'une résistance à haute température, d'une résistance à l'oxydation, d'une grande pureté, d'une résistance aux acides et aux alcalis et d'un réactif organique, avec des propriétés physiques et chimiques stables.
Comparé aux matériaux graphite de haute pureté, le graphite commence à s'oxyder à 400 °C, ce qui entraînera une perte de poudre due à l'oxydation, entraînant une pollution de l'environnement des dispositifs périphériques et des chambres à vide, et augmentant les impuretés de l'environnement de haute pureté.
Cependant, le revêtement SiC peut maintenir une stabilité physique et chimique à 1 600 degrés. Il est largement utilisé dans l’industrie moderne, en particulier dans l’industrie des semi-conducteurs.