Suscepteurs à base de graphite revêtus de SiC pour MOCVD

Suscepteurs à base de graphite à revêtement SiCpour MOCVD de semicera sont conçus pour fournir des performances exceptionnelles dans les processus de croissance épitaxiale. Le revêtement en carbure de silicium de haute qualité sur la base en graphite garantit stabilité, durabilité et conductivité thermique optimale lors des opérations MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition). En utilisant la technologie innovante de suscepteur de Semicera, vous pouvez obtenir une précision et une efficacité accrues dansSi EpitaxieetEpitaxie SiCcandidatures.

CesSucepteurs du MOCVDsont conçus pour prendre en charge une gamme de composants semi-conducteurs essentiels, tels queSupport de gravure PSS, Support de gravure ICP, etTransporteur RTP, ce qui les rend polyvalents pour diverses tâches de gravure et d'épitaxie. L'engagement de Semicera envers des normes élevées garantit que ces suscepteurs répondent aux exigences rigoureuses de la production moderne de semi-conducteurs.

Idéal pour une utilisation dansLED épitaxialeProcessus de suscepteur, de suscepteur en baril et de silicium monocristallin, ces suscepteurs peuvent être personnalisés pour différentes tailles de tranches, y compris les configurations de suscepteur en forme de crêpe. Ils sont également très efficaces dans la manipulation des pièces photovoltaïques, ce qui en fait un élément crucial dans le développement de cellules solaires efficaces.

De plus, les suscepteurs à base de graphite revêtus de SiC pour MOCVD sont optimisés pour l'épitaxie GaN sur SiC, offrant une compatibilité élevée avec les matériaux semi-conducteurs avancés. Que vous cherchiez à améliorer les rendements ou à améliorer la qualité de la croissance épitaxiale, les suscepteurs de Semicera offrent la fiabilité et les performances nécessaires au succès dans les industries de haute technologie.