Suscepteur LED UV profond à revêtement SiC

Brève description :

Le suscepteur LED UV profond à revêtement SiC est un composant essentiel des processus MOCVD (dépôt chimique en phase vapeur métal-organique), spécialement conçu pour prendre en charge une croissance efficace et stable de la couche épitaxiale de LED UV profond. Chez Semicera, nous sommes l'un des principaux fabricants et fournisseurs de suscepteurs à revêtement SiC, proposant des produits qui répondent aux normes industrielles les plus élevées. Fortes de plusieurs années d'expérience et de partenariats à long terme avec les principaux fabricants de LED épitaxiales, nos solutions de suscepteurs jouissent d'une confiance mondiale.


Détail du produit

Mots clés du produit

Suscepteur LED UV profond à revêtement SiC – Composant MOCVD avancé pour l'épitaxie haute performance

Aperçu:Le suscepteur LED UV profond à revêtement SiC est un composant essentiel des processus MOCVD (dépôt chimique en phase vapeur métal-organique), spécialement conçu pour prendre en charge une croissance efficace et stable de la couche épitaxiale de LED UV profond. Chez Semicera, nous sommes l'un des principaux fabricants et fournisseurs de suscepteurs à revêtement SiC, proposant des produits qui répondent aux normes industrielles les plus élevées. Fortes de plusieurs années d'expérience et de partenariats à long terme avec les principaux fabricants de LED épitaxiales, nos solutions de suscepteurs jouissent d'une confiance mondiale.

 

Principales caractéristiques et avantages :

Optimisé pour l'épitaxie LED UV profonde :Spécialement conçu pour la croissance épitaxiale haute performance de LED UV profond, y compris celles dans la plage de longueurs d'onde <260 nm (utilisées dans la désinfection UV-C, la stérilisation et d'autres applications).

Matériau et revêtement :Fabriqué à partir de graphite SGL de haute qualité, recouvert deCVD SiC, assurant une excellente résistance au NH3, au HCl et aux environnements à haute température. Ce revêtement durable améliore les performances et la longévité.

Gestion thermique de précision :Des techniques de traitement avancées garantissent une répartition uniforme de la chaleur, empêchant les gradients de température qui pourraient avoir un impact sur la croissance de la couche épitaxiale, améliorant ainsi l'uniformité et la qualité des matériaux.

▪ Compatibilité avec la dilatation thermique :Correspond au coefficient de dilatation thermique des tranches épitaxiales AlN/GaN, minimisant ainsi le risque de déformation ou de fissuration des tranches pendant le processus.MOCVDprocessus.

 

Adaptable aux principaux équipements MOCVD : compatible avec les principaux systèmes MOCVD tels que Veeco K465i, EPIK 700 et Aixtron Crius, prenant en charge des tailles de tranche de 2 à 8 pouces et offrant des solutions personnalisées pour la conception des emplacements, la température du processus et d'autres paramètres.

 

Applications :

▪ Fabrication de LED UV profondes :Idéal pour l'épitaxie des LED UV profondes utilisées dans des applications telles que la désinfection et la stérilisation UV-C.

▪ Epitaxie de semi-conducteurs au nitrure :Convient aux processus épitaxiaux GaN et AlN dans la fabrication de dispositifs semi-conducteurs.

▪ Recherche & Développement :Soutenir des expériences d'épitaxie avancées pour les universités et les instituts de recherche axés sur les matériaux UV profonds et les nouvelles technologies.

 

Pourquoi choisir Semicera ?

▪ Qualité éprouvée :NotreRevêtement SiCLes suscepteurs LED UV profonds sont soumis à une vérification rigoureuse pour garantir qu'ils correspondent aux performances des meilleurs fabricants internationaux.

▪ Solutions sur mesure :Nous proposons des produits personnalisés pour répondre aux besoins uniques de nos clients, garantissant des performances optimales et une fiabilité à long terme.

▪ Expertise globale :En tant que partenaire de confiance de nombreuxEpitaxie LEDfabricants du monde entier, Semicera apporte une technologie de pointe et une richesse d’expérience à chaque projet.

 

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