Auto-développé par SemiceraPièce de joint en céramique SiCest conçu pour répondre aux normes élevées de la fabrication moderne de semi-conducteurs. Cette pièce d'étanchéité utilise des performances élevéescarbure de silicium (SiC)matériau avec une excellente résistance à l’usure et une excellente stabilité chimique pour garantir d’excellentes performances d’étanchéité dans des environnements extrêmes. Combiné avecoxyde d'aluminium (Al2O3)etnitrure de silicium (Si3N4), cette pièce fonctionne bien dans les applications à haute température et peut empêcher efficacement les fuites de gaz et de liquides.
Lorsqu'il est utilisé conjointement avec des équipements tels quebateaux à plaquetteset supports de plaquettes, SemiceraPièce de joint en céramique SiCpeut améliorer considérablement l’efficacité et la fiabilité du système global. Sa résistance supérieure à la température et à la corrosion en font un composant indispensable dans la fabrication de semi-conducteurs de haute précision, garantissant la stabilité et la sécurité pendant le processus de production.
De plus, la conception de cette pièce d'étanchéité a été soigneusement optimisée pour garantir une compatibilité avec une variété d'équipements, facilitant ainsi son utilisation dans différentes lignes de production. L'équipe R&D de Semicera continue de travailler dur pour promouvoir l'innovation technologique afin d'assurer la compétitivité de ses produits dans l'industrie.
Choisir SemiceraPièce de joint en céramique SiC, vous obtiendrez une combinaison de hautes performances et de fiabilité, vous aidant à obtenir des processus de production plus efficaces et une excellente qualité de produit. Semicera s'engage toujours à fournir à ses clients les meilleures solutions et services en matière de semi-conducteurs pour promouvoir le développement et le progrès continus de l'industrie.
✓Qualité supérieure sur le marché chinois
✓Bon service toujours pour vous, 7*24 heures
✓Date de livraison courte
✓Petit MOQ bienvenu et accepté
✓Services personnalisés
Suscepteur de croissance par épitaxie
Les plaquettes de silicium/carbure de silicium doivent passer par plusieurs processus pour être utilisées dans les appareils électroniques. Un procédé important est l'épitaxie silicium/sic, dans lequel des tranches de silicium/sic sont portées sur une base de graphite. Les avantages particuliers de la base de graphite recouverte de carbure de silicium de Semicera incluent une pureté extrêmement élevée, un revêtement uniforme et une durée de vie extrêmement longue. Ils présentent également une résistance chimique et une stabilité thermique élevées.
Production de puces LED
Lors du revêtement approfondi du réacteur MOCVD, la base ou support planétaire déplace la tranche de substrat. Les performances du matériau de base ont une grande influence sur la qualité du revêtement, qui à son tour affecte le taux de rebut des copeaux. La base recouverte de carbure de silicium de Semicera augmente l'efficacité de fabrication des plaquettes LED de haute qualité et minimise l'écart de longueur d'onde. Nous fournissons également des composants en graphite supplémentaires pour tous les réacteurs MOCVD actuellement utilisés. Nous pouvons revêtir presque n'importe quel composant avec un revêtement en carbure de silicium, même si le diamètre du composant peut atteindre 1,5 M, nous pouvons toujours revêtir du carbure de silicium.
Domaine des semi-conducteurs, processus de diffusion d'oxydation, Etc.
Dans le processus des semi-conducteurs, le processus d'oxydation-expansion nécessite une pureté de produit élevée, et chez Semicera, nous proposons des services de revêtement personnalisés et CVD pour la majorité des pièces en carbure de silicium.
L'image suivante montre la boue de carbure de silicium grossièrement traitée de Semicea et le tube du four en carbure de silicium qui est nettoyé au 1000-niveausans poussièrechambre. Nos ouvriers travaillent avant le revêtement. La pureté de notre carbure de silicium peut atteindre 99,99 % et la pureté du revêtement sic est supérieure à 99,99995 %.