Substrat Si

Brève description :

Avec sa précision supérieure et sa grande pureté, le substrat Si de Semicera garantit des performances fiables et constantes dans les applications critiques, notamment la fabrication d'Epi-Wafer et d'oxyde de gallium (Ga2O3). Conçu pour prendre en charge la production de microélectronique avancée, ce substrat offre une compatibilité et une stabilité exceptionnelles, ce qui en fait un matériau essentiel pour les technologies de pointe dans les secteurs des télécommunications, de l'automobile et de l'industrie.


Détail du produit

Mots clés du produit

Le substrat Si de Semicera est un composant essentiel dans la production de dispositifs semi-conducteurs hautes performances. Conçu à partir de silicium (Si) de haute pureté, ce substrat offre une uniformité, une stabilité et une excellente conductivité exceptionnelles, ce qui le rend idéal pour une large gamme d'applications avancées dans l'industrie des semi-conducteurs. Qu'il soit utilisé dans la production de plaquettes Si, de substrats SiC, de plaquettes SOI ou de substrats SiN, le substrat Semicera Si offre une qualité constante et des performances supérieures pour répondre aux exigences croissantes de l'électronique moderne et de la science des matériaux.

Performances inégalées avec une pureté et une précision élevées

Le substrat Si de Semicera est fabriqué à l'aide de processus avancés qui garantissent une pureté élevée et un contrôle dimensionnel strict. Le substrat sert de base à la production d’une variété de matériaux hautes performances, notamment les Epi-Wafers et les AlN Wafers. La précision et l'uniformité du substrat Si en font un excellent choix pour créer des couches épitaxiales en couches minces et d'autres composants critiques utilisés dans la production de semi-conducteurs de nouvelle génération. Que vous travailliez avec de l'oxyde de gallium (Ga2O3) ou d'autres matériaux avancés, le substrat Si de Semicera garantit les plus hauts niveaux de fiabilité et de performances.

Applications dans la fabrication de semi-conducteurs

Dans l'industrie des semi-conducteurs, le substrat Si de Semicera est utilisé dans un large éventail d'applications, notamment la production de plaquettes Si et de substrats SiC, où il fournit une base stable et fiable pour le dépôt de couches actives. Le substrat joue un rôle essentiel dans la fabrication des plaquettes SOI (Silicon On Insulator), essentielles à la microélectronique avancée et aux circuits intégrés. De plus, les Epi-Wafers (plaquettes épitaxiales) construites sur des substrats Si font partie intégrante de la production de dispositifs semi-conducteurs hautes performances tels que des transistors de puissance, des diodes et des circuits intégrés.

Le substrat Si prend également en charge la fabrication de dispositifs utilisant l'oxyde de gallium (Ga2O3), un matériau prometteur à large bande interdite utilisé pour les applications haute puissance en électronique de puissance. De plus, la compatibilité du substrat Si de Semicera avec les plaquettes AlN et d'autres substrats avancés garantit qu'il peut répondre aux diverses exigences des industries de haute technologie, ce qui en fait une solution idéale pour la production de dispositifs de pointe dans les secteurs des télécommunications, de l'automobile et de l'industrie. .

Qualité fiable et constante pour les applications de haute technologie

Le substrat Si de Semicera est soigneusement conçu pour répondre aux exigences rigoureuses de la fabrication de semi-conducteurs. Son intégrité structurelle exceptionnelle et ses propriétés de surface de haute qualité en font le matériau idéal pour une utilisation dans les systèmes de cassettes pour le transport de plaquettes, ainsi que pour la création de couches de haute précision dans les dispositifs semi-conducteurs. La capacité du substrat à maintenir une qualité constante dans diverses conditions de traitement garantit un minimum de défauts, améliorant ainsi le rendement et les performances du produit final.

Avec sa conductivité thermique supérieure, sa résistance mécanique et sa grande pureté, le substrat Si de Semicera est le matériau de choix pour les fabricants cherchant à atteindre les normes les plus élevées de précision, de fiabilité et de performances dans la production de semi-conducteurs.

Choisissez le substrat Si de Semicera pour des solutions de haute pureté et hautes performances

Pour les fabricants de l'industrie des semi-conducteurs, le substrat Si de Semicera offre une solution robuste et de haute qualité pour une large gamme d'applications, de la production de Si Wafer à la création d'Epi-Wafers et de SOI Wafers. D'une pureté, d'une précision et d'une fiabilité inégalées, ce substrat permet la production de dispositifs semi-conducteurs de pointe, garantissant des performances à long terme et une efficacité optimale. Choisissez Semicera pour vos besoins en substrat Si et faites confiance à un produit conçu pour répondre aux exigences des technologies de demain.

Articles

Production

Recherche

Factice

Paramètres du cristal

Polytype

4H

Erreur d'orientation de la surface

<11-20 >4±0,15°

Paramètres électriques

Dopant

Azote de type n

Résistivité

0,015-0,025ohm·cm

Paramètres mécaniques

Diamètre

150,0 ± 0,2 mm

Épaisseur

350 ± 25 μm

Orientation principale à plat

[1-100]±5°

Longueur à plat primaire

47,5 ± 1,5 mm

Appartement secondaire

Aucun

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm(5mm*5mm)

≤5 μm(5mm*5mm)

≤10 μm(5mm*5mm)

Arc

-15 μm ~ 15 μm

-35 μm ~ 35 μm

-45 μm ~ 45 μm

Chaîne

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugosité avant (face Si) (AFM)

Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm)

Structure

Densité des microtubes

<1 pièce/cm2

<10 pièce/cm2

<15 pièce/cm2

Impuretés métalliques

≤5E10atomes/cm2

NA

TPB

≤1500 pièce/cm2

≤3000 pièce/cm2

NA

TSD

≤500 pièce/cm2

≤1000 pièce/cm2

NA

Qualité avant

Devant

Si

Finition superficielle

Si-face CMP

Particules

≤60ea/plaquette (taille≥0,3μm)

NA

Rayures

≤5 unités/mm. Longueur cumulée ≤Diamètre

Longueur cumulée≤2*Diamètre

NA

Peau d'orange/piqûres/taches/striations/fissures/contamination

Aucun

NA

Copeaux de bord/empreintes/fracture/plaques hexagonales

Aucun

Zones polytypes

Aucun

Superficie cumulée≤20 %

Superficie cumulée≤30 %

Marquage laser frontal

Aucun

Retour Qualité

Finition arrière

CMP face C

Rayures

≤5ea/mm, longueur cumulée≤2*Diamètre

NA

Défauts arrière (éclats de bord/empreintes)

Aucun

Rugosité du dos

Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm)

Marquage laser au dos

1 mm (à partir du bord supérieur)

Bord

Bord

Chanfreiner

Conditionnement

Conditionnement

Epi-ready avec emballage sous vide

Conditionnement de cassettes multi-wafers

*Remarques : « NA » signifie aucune demande. Les éléments non mentionnés peuvent faire référence à SEMI-STD.

tech_1_2_size
plaquettes SiC

  • Précédent:
  • Suivant: