Semiceraprésente sa haute qualitéSi Epitaxieservices, conçus pour répondre aux normes rigoureuses de l'industrie actuelle des semi-conducteurs. Les couches de silicium épitaxiales sont essentielles aux performances et à la fiabilité des appareils électroniques, et nos solutions Si Epitaxy garantissent que vos composants atteignent une fonctionnalité optimale.
Couches de silicium cultivées avec précision Semiceracomprend que la base des appareils performants réside dans la qualité des matériaux utilisés. NotreSi EpitaxieLe processus est méticuleusement contrôlé pour produire des couches de silicium avec une uniformité et une intégrité cristalline exceptionnelles. Ces couches sont essentielles pour les applications allant de la microélectronique aux dispositifs de puissance avancés, où la cohérence et la fiabilité sont primordiales.
Optimisé pour les performances de l'appareilLeSi EpitaxieLes services proposés par Semicera sont adaptés pour améliorer les propriétés électriques de vos appareils. En développant des couches de silicium de haute pureté avec de faibles densités de défauts, nous garantissons que vos composants fonctionnent de manière optimale, avec une mobilité améliorée des porteurs et une résistivité électrique minimisée. Cette optimisation est essentielle pour atteindre les caractéristiques de vitesse et de rendement élevées exigées par la technologie moderne.
Polyvalence dans les applications Semicerac'estSi Epitaxieconvient à un large éventail d'applications, notamment la production de transistors CMOS, de MOSFET de puissance et de transistors à jonction bipolaire. Notre processus flexible permet une personnalisation en fonction des exigences spécifiques de votre projet, que vous ayez besoin de couches fines pour les applications haute fréquence ou de couches plus épaisses pour les dispositifs de puissance.
Qualité supérieure des matériauxLa qualité est au cœur de tout ce que nous faisons chez Semicera. NotreSi EpitaxieLe processus utilise des équipements et des techniques de pointe pour garantir que chaque couche de silicium répond aux normes les plus élevées de pureté et d'intégrité structurelle. Cette attention aux détails minimise l'apparition de défauts susceptibles d'avoir un impact sur les performances de l'appareil, ce qui donne lieu à des composants plus fiables et plus durables.
Engagement envers l'innovation Semiceras'engage à rester à la pointe de la technologie des semi-conducteurs. NotreSi Epitaxieles services reflètent cet engagement, intégrant les dernières avancées en matière de techniques de croissance épitaxiale. Nous affinons continuellement nos processus pour fournir des couches de silicium qui répondent aux besoins changeants de l'industrie, garantissant ainsi que vos produits restent compétitifs sur le marché.
Des solutions adaptées à vos besoinsComprenant que chaque projet est unique,Semiceraoffres personnaliséesSi Epitaxiedes solutions adaptées à vos besoins spécifiques. Que vous ayez besoin de profils de dopage, d'épaisseurs de couche ou de finitions de surface particuliers, notre équipe travaille en étroite collaboration avec vous pour vous livrer un produit répondant à vos spécifications précises.
Articles | Production | Recherche | Factice |
Paramètres du cristal | |||
Polytype | 4H | ||
Erreur d'orientation de la surface | <11-20 >4±0,15° | ||
Paramètres électriques | |||
Dopant | Azote de type n | ||
Résistivité | 0,015-0,025ohm·cm | ||
Paramètres mécaniques | |||
Diamètre | 150,0 ± 0,2 mm | ||
Épaisseur | 350 ± 25 μm | ||
Orientation principale à plat | [1-100]±5° | ||
Longueur à plat primaire | 47,5 ± 1,5 mm | ||
Appartement secondaire | Aucun | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
Arc | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
Chaîne | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Rugosité avant (face Si) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
Structure | |||
Densité des microtubes | <1 pièce/cm2 | <10 pièce/cm2 | <15 pièce/cm2 |
Impuretés métalliques | ≤5E10atomes/cm2 | NA | |
TPB | ≤1500 pièce/cm2 | ≤3000 pièce/cm2 | NA |
TSD | ≤500 pièce/cm2 | ≤1000 pièce/cm2 | NA |
Qualité avant | |||
Devant | Si | ||
Finition superficielle | Si-face CMP | ||
Particules | ≤60ea/plaquette (taille≥0,3μm) | NA | |
Rayures | ≤5 unités/mm. Longueur cumulée ≤Diamètre | Longueur cumulée≤2*Diamètre | NA |
Peau d'orange/piqûres/taches/striations/fissures/contamination | Aucun | NA | |
Copeaux de bord/empreintes/fracture/plaques hexagonales | Aucun | ||
Zones polytypes | Aucun | Superficie cumulée≤20 % | Superficie cumulée≤30 % |
Marquage laser frontal | Aucun | ||
Retour Qualité | |||
Finition arrière | CMP face C | ||
Rayures | ≤5ea/mm, longueur cumulée≤2*Diamètre | NA | |
Défauts arrière (éclats de bord/empreintes) | Aucun | ||
Rugosité du dos | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
Marquage laser au dos | 1 mm (à partir du bord supérieur) | ||
Bord | |||
Bord | Chanfreiner | ||
Conditionnement | |||
Conditionnement | Epi-ready avec emballage sous vide Conditionnement de cassettes multi-wafers | ||
*Remarques : « NA » signifie aucune demande. Les éléments non mentionnés peuvent faire référence à SEMI-STD. |