Si Epitaxie

Brève description :

Si Epitaxie– Obtenez des performances supérieures en matière de dispositifs grâce à Si Epitaxy de Semicera, offrant des couches de silicium cultivées avec précision pour les applications avancées de semi-conducteurs.


Détail du produit

Mots clés du produit

Semiceraprésente sa haute qualitéSi Epitaxieservices, conçus pour répondre aux normes rigoureuses de l'industrie actuelle des semi-conducteurs. Les couches de silicium épitaxiales sont essentielles aux performances et à la fiabilité des appareils électroniques, et nos solutions Si Epitaxy garantissent que vos composants atteignent une fonctionnalité optimale.

Couches de silicium cultivées avec précision Semiceracomprend que la base des appareils performants réside dans la qualité des matériaux utilisés. NotreSi EpitaxieLe processus est méticuleusement contrôlé pour produire des couches de silicium avec une uniformité et une intégrité cristalline exceptionnelles. Ces couches sont essentielles pour les applications allant de la microélectronique aux dispositifs de puissance avancés, où la cohérence et la fiabilité sont primordiales.

Optimisé pour les performances de l'appareilLeSi EpitaxieLes services proposés par Semicera sont adaptés pour améliorer les propriétés électriques de vos appareils. En développant des couches de silicium de haute pureté avec de faibles densités de défauts, nous garantissons que vos composants fonctionnent de manière optimale, avec une mobilité améliorée des porteurs et une résistivité électrique minimisée. Cette optimisation est essentielle pour atteindre les caractéristiques de vitesse et de rendement élevées exigées par la technologie moderne.

Polyvalence dans les applications Semicerac'estSi Epitaxieconvient à un large éventail d'applications, notamment la production de transistors CMOS, de MOSFET de puissance et de transistors à jonction bipolaire. Notre processus flexible permet une personnalisation en fonction des exigences spécifiques de votre projet, que vous ayez besoin de couches fines pour les applications haute fréquence ou de couches plus épaisses pour les dispositifs de puissance.

Qualité supérieure des matériauxLa qualité est au cœur de tout ce que nous faisons chez Semicera. NotreSi EpitaxieLe processus utilise des équipements et des techniques de pointe pour garantir que chaque couche de silicium répond aux normes les plus élevées de pureté et d'intégrité structurelle. Cette attention aux détails minimise l'apparition de défauts susceptibles d'avoir un impact sur les performances de l'appareil, ce qui donne lieu à des composants plus fiables et plus durables.

Engagement envers l'innovation Semiceras'engage à rester à la pointe de la technologie des semi-conducteurs. NotreSi Epitaxieles services reflètent cet engagement, intégrant les dernières avancées en matière de techniques de croissance épitaxiale. Nous affinons continuellement nos processus pour fournir des couches de silicium qui répondent aux besoins changeants de l'industrie, garantissant ainsi que vos produits restent compétitifs sur le marché.

Des solutions adaptées à vos besoinsComprenant que chaque projet est unique,Semiceraoffres personnaliséesSi Epitaxiedes solutions adaptées à vos besoins spécifiques. Que vous ayez besoin de profils de dopage, d'épaisseurs de couche ou de finitions de surface particuliers, notre équipe travaille en étroite collaboration avec vous pour vous livrer un produit répondant à vos spécifications précises.

Articles

Production

Recherche

Factice

Paramètres du cristal

Polytype

4H

Erreur d'orientation de la surface

<11-20 >4±0,15°

Paramètres électriques

Dopant

Azote de type n

Résistivité

0,015-0,025ohm·cm

Paramètres mécaniques

Diamètre

150,0 ± 0,2 mm

Épaisseur

350 ± 25 μm

Orientation principale à plat

[1-100]±5°

Longueur à plat primaire

47,5 ± 1,5 mm

Appartement secondaire

Aucun

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm(5mm*5mm)

≤5 μm(5mm*5mm)

≤10 μm(5mm*5mm)

Arc

-15 μm ~ 15 μm

-35 μm ~ 35 μm

-45 μm ~ 45 μm

Chaîne

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugosité avant (face Si) (AFM)

Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm)

Structure

Densité des microtubes

<1 pièce/cm2

<10 pièce/cm2

<15 pièce/cm2

Impuretés métalliques

≤5E10atomes/cm2

NA

TPB

≤1500 pièce/cm2

≤3000 pièce/cm2

NA

TSD

≤500 pièce/cm2

≤1000 pièce/cm2

NA

Qualité avant

Devant

Si

Finition superficielle

Si-face CMP

Particules

≤60ea/plaquette (taille≥0,3μm)

NA

Rayures

≤5 unités/mm. Longueur cumulée ≤Diamètre

Longueur cumulée≤2*Diamètre

NA

Peau d'orange/piqûres/taches/striations/fissures/contamination

Aucun

NA

Copeaux de bord/empreintes/fracture/plaques hexagonales

Aucun

Zones polytypes

Aucun

Superficie cumulée≤20 %

Superficie cumulée≤30 %

Marquage laser frontal

Aucun

Retour Qualité

Finition arrière

CMP face C

Rayures

≤5ea/mm, longueur cumulée≤2*Diamètre

NA

Défauts arrière (éclats de bord/empreintes)

Aucun

Rugosité du dos

Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm)

Marquage laser au dos

1 mm (à partir du bord supérieur)

Bord

Bord

Chanfreiner

Conditionnement

Conditionnement

Epi-ready avec emballage sous vide

Conditionnement de cassettes multi-wafers

*Remarques : « NA » signifie aucune demande. Les éléments non mentionnés peuvent faire référence à SEMI-STD.

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