Carbure de silicium en vrac CVD (SiC)
Aperçu:MCVcarbure de silicium en vrac (SiC)est un matériau très recherché dans les équipements de gravure au plasma, les applications de traitement thermique rapide (RTP) et d'autres processus de fabrication de semi-conducteurs. Ses propriétés mécaniques, chimiques et thermiques exceptionnelles en font un matériau idéal pour les applications technologiques avancées qui exigent une précision et une durabilité élevées.
Applications du CVD Bulk SiC :Le SiC en vrac est crucial dans l'industrie des semi-conducteurs, en particulier dans les systèmes de gravure au plasma, où des composants tels que les bagues de focalisation, les pommes de douche à gaz, les anneaux de bord et les plateaux bénéficient de la résistance à la corrosion et de la conductivité thermique exceptionnelles du SiC. Son utilisation s'étend àRTPsystèmes en raison de la capacité du SiC à résister à des fluctuations rapides de température sans dégradation significative.
En plus de l'équipement de gravure, CVDSiC en vracest favorisé dans les fours à diffusion et les processus de croissance cristalline, où une stabilité thermique élevée et une résistance aux environnements chimiques difficiles sont requises. Ces attributs font du SiC le matériau de choix pour les applications exigeantes impliquant des températures élevées et des gaz corrosifs, tels que ceux contenant du chlore et du fluor.
Avantages des composants CVD Bulk SiC :
•Haute densité :D'une densité de 3,2 g/cm³,SiC en vrac CVDles composants sont très résistants à l’usure et aux chocs mécaniques.
•Conductivité thermique supérieure :Offrant une conductivité thermique de 300 W/m·K, le SiC en vrac gère efficacement la chaleur, ce qui le rend idéal pour les composants exposés à des cycles thermiques extrêmes.
•Résistance chimique exceptionnelle :La faible réactivité du SiC avec les gaz de gravure, notamment les produits chimiques à base de chlore et de fluor, garantit une durée de vie prolongée des composants.
•Résistivité réglable : SiC en vrac CVDla résistivité peut être personnalisée dans la plage de 10⁻² à 10⁴ Ω-cm, ce qui la rend adaptable aux besoins spécifiques de gravure et de fabrication de semi-conducteurs.
•Coefficient de dilatation thermique :Avec un coefficient de dilatation thermique de 4,8 x 10⁻⁶/°C (25-1 000°C), le SiC en vrac CVD résiste aux chocs thermiques, maintenant sa stabilité dimensionnelle même pendant des cycles de chauffage et de refroidissement rapides.
•Durabilité dans le plasma :L'exposition au plasma et aux gaz réactifs est inévitable dans les processus de semi-conducteurs, maisSiC en vrac CVDoffre une résistance supérieure à la corrosion et à la dégradation, réduisant ainsi la fréquence de remplacement et les coûts globaux de maintenance.
Spécifications techniques :
•Diamètre:Supérieur à 305 mm
•Résistivité:Réglable entre 10⁻² et 10⁴ Ω-cm
•Densité:3,2 g/cm³
•Conductivité thermique :300 W/m·K
•Coefficient de dilatation thermique :4,8 x 10⁻⁶/°C (25-1 000°C)
Personnalisation et flexibilité :ÀSemi-conducteur Semicera, nous comprenons que chaque application de semi-conducteurs peut nécessiter des spécifications différentes. C'est pourquoi nos composants SiC en vrac CVD sont entièrement personnalisables, avec une résistivité réglable et des dimensions adaptées pour répondre aux besoins de votre équipement. Que vous optimisiez vos systèmes de gravure plasma ou recherchiez des composants durables dans les processus RTP ou de diffusion, notre SiC en vrac CVD offre des performances inégalées.
