La plaquette de substrat SiC de type P de Semicera est un composant clé pour le développement de dispositifs électroniques et optoélectroniques avancés. Ces plaquettes sont spécialement conçues pour offrir des performances améliorées dans des environnements à haute puissance et à haute température, répondant ainsi à la demande croissante de composants efficaces et durables.
Le dopage de type P dans nos plaquettes SiC garantit une conductivité électrique et une mobilité des porteurs de charge améliorées. Cela les rend particulièrement adaptés aux applications dans les domaines de l'électronique de puissance, des LED et des cellules photovoltaïques, où une faible perte de puissance et un rendement élevé sont essentiels.
Fabriquées selon les normes de précision et de qualité les plus élevées, les plaquettes SiC de type P de Semicera offrent une excellente uniformité de surface et des taux de défauts minimes. Ces caractéristiques sont vitales pour les secteurs où la cohérence et la fiabilité sont essentielles, comme les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile et des énergies renouvelables.
L'engagement de Semicera envers l'innovation et l'excellence est évident dans notre plaquette de substrat SiC de type P. En intégrant ces plaquettes dans votre processus de production, vous vous assurez que vos appareils bénéficient des propriétés thermiques et électriques exceptionnelles du SiC, leur permettant de fonctionner efficacement dans des conditions difficiles.
Investir dans la plaquette de substrat SiC de type P de Semicera signifie choisir un produit qui combine une science des matériaux de pointe avec une ingénierie méticuleuse. Semicera se consacre à prendre en charge la prochaine génération de technologies électroniques et optoélectroniques, en fournissant les composants essentiels nécessaires à votre réussite dans l'industrie des semi-conducteurs.
Articles | Production | Recherche | Factice |
Paramètres du cristal | |||
Polytype | 4H | ||
Erreur d'orientation de la surface | <11-20 >4±0,15° | ||
Paramètres électriques | |||
Dopant | Azote de type n | ||
Résistivité | 0,015-0,025ohm·cm | ||
Paramètres mécaniques | |||
Diamètre | 150,0 ± 0,2 mm | ||
Épaisseur | 350 ± 25 μm | ||
Orientation principale à plat | [1-100]±5° | ||
Longueur à plat primaire | 47,5 ± 1,5 mm | ||
Appartement secondaire | Aucun | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
Arc | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
Chaîne | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Rugosité avant (face Si) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
Structure | |||
Densité des microtubes | <1 pièce/cm2 | <10 pièce/cm2 | <15 pièce/cm2 |
Impuretés métalliques | ≤5E10atomes/cm2 | NA | |
TPB | ≤1500 pièce/cm2 | ≤3000 pièce/cm2 | NA |
TSD | ≤500 pièce/cm2 | ≤1000 pièce/cm2 | NA |
Qualité avant | |||
Devant | Si | ||
Finition superficielle | Si-face CMP | ||
Particules | ≤60ea/plaquette (taille≥0,3μm) | NA | |
Rayures | ≤5 unités/mm. Longueur cumulée ≤Diamètre | Longueur cumulée≤2*Diamètre | NA |
Peau d'orange/piqûres/taches/striations/fissures/contamination | Aucun | NA | |
Copeaux de bord/empreintes/fracture/plaques hexagonales | Aucun | ||
Zones polytypes | Aucun | Superficie cumulée≤20 % | Superficie cumulée≤30 % |
Marquage laser frontal | Aucun | ||
Retour Qualité | |||
Finition arrière | CMP face C | ||
Rayures | ≤5ea/mm, longueur cumulée≤2*Diamètre | NA | |
Défauts arrière (éclats de bord/empreintes) | Aucun | ||
Rugosité du dos | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
Marquage laser au dos | 1 mm (à partir du bord supérieur) | ||
Bord | |||
Bord | Chanfreiner | ||
Conditionnement | |||
Conditionnement | Epi-ready avec emballage sous vide Conditionnement de cassettes multi-wafers | ||
*Remarques : « NA » signifie aucune demande. Les éléments non mentionnés peuvent faire référence à SEMI-STD. |