Plaquette de substrat SiC de type P

Brève description :

La plaquette de substrat SiC de type P de Semicera est conçue pour des applications électroniques et optoélectroniques supérieures. Ces plaquettes offrent une conductivité et une stabilité thermique exceptionnelles, ce qui les rend idéales pour les dispositifs hautes performances. Avec Semicera, attendez-vous à la précision et à la fiabilité de vos plaquettes de substrat SiC de type P.


Détail du produit

Mots clés du produit

La plaquette de substrat SiC de type P de Semicera est un composant clé pour le développement de dispositifs électroniques et optoélectroniques avancés. Ces plaquettes sont spécialement conçues pour offrir des performances améliorées dans des environnements à haute puissance et à haute température, répondant ainsi à la demande croissante de composants efficaces et durables.

Le dopage de type P dans nos plaquettes SiC garantit une conductivité électrique et une mobilité des porteurs de charge améliorées. Cela les rend particulièrement adaptés aux applications dans les domaines de l'électronique de puissance, des LED et des cellules photovoltaïques, où une faible perte de puissance et un rendement élevé sont essentiels.

Fabriquées selon les normes de précision et de qualité les plus élevées, les plaquettes SiC de type P de Semicera offrent une excellente uniformité de surface et des taux de défauts minimes. Ces caractéristiques sont vitales pour les secteurs où la cohérence et la fiabilité sont essentielles, comme les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile et des énergies renouvelables.

L'engagement de Semicera envers l'innovation et l'excellence est évident dans notre plaquette de substrat SiC de type P. En intégrant ces plaquettes dans votre processus de production, vous vous assurez que vos appareils bénéficient des propriétés thermiques et électriques exceptionnelles du SiC, leur permettant de fonctionner efficacement dans des conditions difficiles.

Investir dans la plaquette de substrat SiC de type P de Semicera signifie choisir un produit qui combine une science des matériaux de pointe avec une ingénierie méticuleuse. Semicera se consacre à prendre en charge la prochaine génération de technologies électroniques et optoélectroniques, en fournissant les composants essentiels nécessaires à votre réussite dans l'industrie des semi-conducteurs.

Articles

Production

Recherche

Factice

Paramètres du cristal

Polytype

4H

Erreur d'orientation de la surface

<11-20 >4±0,15°

Paramètres électriques

Dopant

Azote de type n

Résistivité

0,015-0,025ohm·cm

Paramètres mécaniques

Diamètre

150,0 ± 0,2 mm

Épaisseur

350 ± 25 μm

Orientation principale à plat

[1-100]±5°

Longueur à plat primaire

47,5 ± 1,5 mm

Appartement secondaire

Aucun

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm(5mm*5mm)

≤5 μm(5mm*5mm)

≤10 μm(5mm*5mm)

Arc

-15 μm ~ 15 μm

-35 μm ~ 35 μm

-45 μm ~ 45 μm

Chaîne

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugosité avant (face Si) (AFM)

Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm)

Structure

Densité des microtubes

<1 pièce/cm2

<10 pièce/cm2

<15 pièce/cm2

Impuretés métalliques

≤5E10atomes/cm2

NA

TPB

≤1500 pièce/cm2

≤3000 pièce/cm2

NA

TSD

≤500 pièce/cm2

≤1000 pièce/cm2

NA

Qualité avant

Devant

Si

Finition superficielle

Si-face CMP

Particules

≤60ea/plaquette (taille≥0,3μm)

NA

Rayures

≤5 unités/mm. Longueur cumulée ≤Diamètre

Longueur cumulée≤2*Diamètre

NA

Peau d'orange/piqûres/taches/striations/fissures/contamination

Aucun

NA

Copeaux de bord/empreintes/fracture/plaques hexagonales

Aucun

Zones polytypes

Aucun

Superficie cumulée≤20 %

Superficie cumulée≤30 %

Marquage laser frontal

Aucun

Retour Qualité

Finition arrière

CMP face C

Rayures

≤5ea/mm, longueur cumulée≤2*Diamètre

NA

Défauts arrière (éclats de bord/empreintes)

Aucun

Rugosité du dos

Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm)

Marquage laser au dos

1 mm (à partir du bord supérieur)

Bord

Bord

Chanfreiner

Conditionnement

Conditionnement

Epi-ready avec emballage sous vide

Conditionnement de cassettes multi-wafers

*Remarques : « NA » signifie aucune demande. Les éléments non mentionnés peuvent faire référence à SEMI-STD.

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