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Avantages
Résistance à l'oxydation à haute température
Excellente résistance à la corrosion
Bonne résistance à l'abrasion
Coefficient de conductivité thermique élevé
Autolubrifiant, faible densité
Haute dureté
Conception personnalisée.
Applications
-Champ résistant à l'usure : bague, plaque, buse de sablage, revêtement cyclone, baril de broyage, etc…
-Champ à haute température : dalle siC, tube de four de trempe, tube radiant, creuset, élément chauffant, rouleau, poutre, échangeur de chaleur, tuyau d'air froid, buse de brûleur, tube de protection de thermocouple, bateau SiC, structure de voiture de four, setter, etc.
-Semi-conducteur en carbure de silicium : bateau à plaquettes SiC, mandrin sic, palette sic, cassette sic, tube de diffusion sic, fourchette à plaquettes, plaque d'aspiration, guide, etc.
-Champ de joint en carbure de silicium : toutes sortes de bagues d'étanchéité, roulements, bagues, etc.
-Champ photovoltaïque : palette en porte-à-faux, baril de meulage, rouleau en carbure de silicium, etc.
-Champ de batterie au lithium
Propriétés physiques du SiC
Propriété | Valeur | Méthode |
Densité | 3,21 g/cc | Évier-flotteur et dimension |
Chaleur spécifique | 0,66 J/g °K | Flash laser pulsé |
Résistance à la flexion | 450 MPa560 MPa | Coude 4 points, coude RT4 points, 1300° |
Résistance à la rupture | 2,94 MPa m1/2 | Microindentation |
Dureté | 2800 | Vicker's, charge de 500 g |
Module élastiqueModule de Young | 450 GPa430 GPa | Coude 4 points, coude RT4 points, 1 300 °C |
Taille des grains | 2 – 10 µm | MEB |
Propriétés thermiques du SiC
Conductivité thermique | 250 W/m°K | Méthode flash laser, RT |
Expansion thermique (CTE) | 4,5 x 10-6 °K | Température ambiante jusqu'à 950 °C, dilatomètre à silice |
Paramètres techniques
Article | Unité | Données | ||||
RBSiC(SiSiC) | NBSiC | SSIC | RSiC | OSIC | ||
Contenu SiC | % | 85 | 75 | 99 | 99,9 | ≥99 |
Contenu en silicium gratuit | % | 15 | 0 | 0 | 0 | 0 |
Température maximale de service | ℃ | 1380 | 1450 | 1650 | 1620 | 1400 |
Densité | g/cm3 | 3.02 | 2,75-2,85 | 3.08-3.16 | 2,65-2,75 | 2,75-2,85 |
Porosité ouverte | % | 0 | 13-15 | 0 | 15-18 | 7-8 |
Résistance à la flexion 20℃ | Papa | 250 | 160 | 380 | 100 | / |
Résistance à la flexion 1200℃ | Papa | 280 | 180 | 400 | 120 | / |
Module d'élasticité 20℃ | Gpa | 330 | 580 | 420 | 240 | / |
Module d'élasticité 1200℃ | Gpa | 300 | / | / | 200 | / |
Conductivité thermique 1200℃ | W/mK | 45 | 19.6 | 100-120 | 36,6 | / |
Coefficient de dilatation thermique | K-1X10-6 | 4.5 | 4.7 | 4.1 | 4,69 | / |
HV | Kg/mm2 | 2115 | / | 2800 | / | / |
Le revêtement de carbure de silicium CVD sur la surface extérieure des produits céramiques en carbure de silicium recristallisé peut atteindre une pureté supérieure à 99,9999 % pour répondre aux besoins des clients de l'industrie des semi-conducteurs.
Photos
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