Vérification de la croissance
Lecarbure de silicium (SiC)les germes de cristaux ont été préparés en suivant le processus décrit et validés par croissance de cristaux de SiC. La plate-forme de croissance utilisée était un four de croissance à induction SiC auto-développé avec une température de croissance de 2 200 ℃, une pression de croissance de 200 Pa et une durée de croissance de 100 heures.
La préparation impliquait unPlaquette SiC de 6 poucesavec les faces en carbone et en silicium polies, untrancheune uniformité d'épaisseur de ≤ 10 µm et une rugosité de face en silicium de ≤ 0,3 nm. Un papier graphite de 200 mm de diamètre et 500 µm d'épaisseur, ainsi que de la colle, de l'alcool et un chiffon non pelucheux ont également été préparés.
Leplaquette SiCa été enduit par centrifugation d'adhésif sur la surface de liaison pendant 15 secondes à 1 500 tr/min.
L'adhésif sur la surface de liaison duplaquette SiCa été séché sur une plaque chauffante.
Le papier graphite etplaquette SiC(surface de liaison tournée vers le bas) ont été empilés de bas en haut et placés dans le four de presse à chaud de germes de cristal. Le pressage à chaud a été réalisé selon le procédé de pressage à chaud prédéfini. La figure 6 montre la surface des germes cristallins après le processus de croissance. On peut voir que la surface des germes cristallins est lisse, sans aucun signe de délaminage, ce qui indique que les germes cristallins de SiC préparés dans cette étude ont une bonne qualité et une couche de liaison dense.
Conclusion
Compte tenu des méthodes actuelles de liaison et de suspension pour la fixation des germes cristallins, une méthode combinée de liaison et de suspension a été proposée. Cette étude s'est concentrée sur la préparation du film de carbone ettranche/processus de collage du papier graphite requis pour cette méthode, conduisant aux conclusions suivantes :
La viscosité de l'adhésif requise pour le film de carbone sur la tranche doit être de 100 mPa.s, avec une température de carbonisation de ≥600℃. L'environnement de carbonisation optimal est une atmosphère protégée par l'argon. Si cela est effectué sous vide, le degré de vide doit être ≤1 Pa.
Les processus de carbonisation et de liaison nécessitent un durcissement à basse température des adhésifs de carbonisation et de liaison sur la surface de la tranche pour expulser les gaz de l'adhésif, empêchant ainsi le pelage et l'annulation des défauts dans la couche de liaison pendant la carbonisation.
L'adhésif de liaison pour la plaquette/papier graphite doit avoir une viscosité de 25 mPa.s, avec une pression de liaison de ≥15 kN. Pendant le processus de collage, la température doit être augmentée lentement dans la plage des basses températures (<120 ℃) pendant environ 1,5 heure. La vérification de la croissance cristalline de SiC a confirmé que les germes cristallins de SiC préparés répondent aux exigences d'une croissance cristalline de SiC de haute qualité, avec des surfaces de germes cristallins lisses et sans précipités.
Heure de publication : 11 juin 2024