À l'heure actuelle, les méthodes de préparation du revêtement SiC comprennent principalement la méthode gel-sol, la méthode d'incorporation, la méthode de revêtement au pinceau, la méthode de pulvérisation au plasma, la méthode de réaction chimique gazeuse (CVR) et la méthode de dépôt chimique en phase vapeur (CVD).
Méthode d'intégration :
Le procédé est une sorte de frittage en phase solide à haute température, qui utilise principalement le mélange de poudre de Si et de poudre de C comme poudre d'incorporation, la matrice de graphite est placée dans la poudre d'incorporation et le frittage à haute température est effectué dans le gaz inerte. , et enfin le revêtement SiC est obtenu en surface de la matrice graphite.Le processus est simple et la combinaison entre le revêtement et le substrat est bonne, mais l'uniformité du revêtement dans le sens de l'épaisseur est médiocre, ce qui permet de produire plus de trous et conduit à une mauvaise résistance à l'oxydation.
Méthode de revêtement au pinceau :
La méthode de revêtement au pinceau consiste principalement à brosser la matière première liquide sur la surface de la matrice de graphite, puis à durcir la matière première à une certaine température pour préparer le revêtement.Le processus est simple et le coût est faible, mais le revêtement préparé par le procédé de revêtement à la brosse est faible en combinaison avec le substrat, l'uniformité du revêtement est médiocre, le revêtement est mince et la résistance à l'oxydation est faible, et d'autres méthodes sont nécessaires pour aider. il.
Méthode de pulvérisation plasma :
La méthode de pulvérisation au plasma consiste principalement à pulvériser des matières premières fondues ou semi-fondues sur la surface de la matrice de graphite avec un pistolet à plasma, puis à les solidifier et à les lier pour former un revêtement.Le procédé est simple à mettre en œuvre et permet de préparer un revêtement de carbure de silicium relativement dense, mais le revêtement de carbure de silicium préparé par le procédé est souvent trop faible et conduit à une faible résistance à l'oxydation, de sorte qu'il est généralement utilisé pour la préparation d'un revêtement composite SiC afin d'améliorer la qualité du revêtement.
Méthode gel-sol :
La méthode gel-sol consiste principalement à préparer une solution sol uniforme et transparente recouvrant la surface de la matrice, en séchant en gel puis en frittant pour obtenir un revêtement.Cette méthode est simple à mettre en œuvre et peu coûteuse, mais le revêtement produit présente certains inconvénients tels qu'une faible résistance aux chocs thermiques et une fissuration facile, de sorte qu'il ne peut pas être largement utilisé.
Réaction chimique des gaz (CVR) :
Le CVR génère principalement un revêtement SiC en utilisant de la poudre de Si et SiO2 pour générer de la vapeur de SiO à haute température, et une série de réactions chimiques se produisent à la surface du substrat en matériau C.Le revêtement SiC préparé par ce procédé est étroitement lié au substrat, mais la température de réaction est plus élevée et le coût est plus élevé.
Dépôt chimique en phase vapeur (CVD) :
À l’heure actuelle, le CVD constitue la principale technologie permettant de préparer un revêtement SiC sur la surface du substrat.Le processus principal est une série de réactions physiques et chimiques du matériau réactif en phase gazeuse sur la surface du substrat, et enfin le revêtement SiC est préparé par dépôt sur la surface du substrat.Le revêtement SiC préparé par la technologie CVD est étroitement lié à la surface du substrat, ce qui peut améliorer efficacement la résistance à l'oxydation et la résistance à l'ablation du matériau du substrat, mais le temps de dépôt de cette méthode est plus long et le gaz de réaction a une certaine toxicité. gaz.
Heure de publication : 06 novembre 2023