Suscepteur MOCVD pour la croissance épitaxiale

Le suscepteur MOCVD pour la croissance épitaxiale de semicera, une solution leader conçue pour optimiser le processus de croissance épitaxiale pour les applications avancées de semi-conducteurs. Le suscepteur MOCVD de Semicera assure un contrôle précis de la température et du dépôt de matériaux, ce qui en fait le choix idéal pour réaliser une épitaxie Si et une épitaxie SiC de haute qualité. Sa construction robuste et sa conductivité thermique élevée permettent des performances constantes dans des environnements exigeants, garantissant la fiabilité requise pour les systèmes de croissance épitaxiale.

Ce suscepteur MOCVD est compatible avec diverses applications épitaxiales, notamment la production de silicium monocristallin et la croissance de GaN sur épitaxie SiC, ce qui en fait un composant essentiel pour les fabricants recherchant des résultats de premier ordre. De plus, il fonctionne de manière transparente avec les systèmes PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier et RTP Carrier, améliorant ainsi l'efficacité et le rendement des processus. Le suscepteur convient également aux applications de suscepteur épitaxial LED et à d'autres processus avancés de fabrication de semi-conducteurs.

Grâce à sa conception polyvalente, le suscepteur MOCVD de Semicera peut être adapté pour être utilisé dans les suscepteurs à crêpes et les suscepteurs en baril, offrant ainsi une flexibilité dans différentes configurations de production. L'intégration de pièces photovoltaïques élargit encore son application, ce qui la rend idéale pour les industries des semi-conducteurs et de l'énergie solaire. Cette solution haute performance offre une excellente stabilité thermique et durabilité, garantissant une efficacité à long terme dans les processus de croissance épitaxiale.