Substrat InP et CdTe

Brève description :

Les solutions de substrats InP et CdTe de Semicera sont conçues pour les applications hautes performances dans les secteurs des semi-conducteurs et de l'énergie solaire. Nos substrats InP (phosphure d'indium) et CdTe (telluride de cadmium) offrent des propriétés matérielles exceptionnelles, notamment un rendement élevé, une excellente conductivité électrique et une stabilité thermique robuste. Ces substrats sont idéaux pour une utilisation dans les dispositifs optoélectroniques avancés, les transistors haute fréquence et les cellules solaires à couches minces, fournissant une base fiable pour les technologies de pointe.


Détail du produit

Mots clés du produit

Avec SemiceraSubstrat InP et CdTe, vous pouvez vous attendre à une qualité supérieure et à une ingénierie de précision pour répondre aux besoins spécifiques de vos processus de fabrication. Qu'il s'agisse d'applications photovoltaïques ou de dispositifs semi-conducteurs, nos substrats sont conçus pour garantir des performances, une durabilité et une cohérence optimales. En tant que fournisseur de confiance, Semicera s'engage à fournir des solutions de substrat personnalisables de haute qualité qui stimulent l'innovation dans les secteurs de l'électronique et des énergies renouvelables.

Propriétés cristallines et électriques1

Taper
Dopant
EPD(cm–2)(Voir ci-dessous A.)
Zone DF (sans défaut) (cm)2, Voir ci-dessous B.)
c/(ccm–3
Mobilité(y cm2/Contre)
Résistivité(y Ω・cm)
n
Sn
≦5×104
≦1×104
≦5×103
──────
 

(0,5〜6)×1018
──────
──────
n
S
──────
≧ 10(59,4%)
≧ 15(87%),4
(2〜10)×1018
──────
──────
p
Zn
──────
≧ 10(59,4%)
≧ 15(87%).
(3〜6)×1018
──────
──────
SI
Fe
≦5×104
≦1×104
──────
──────
──────
≧ 1×106
n
aucun
≦5×104
──────
≦1×1016
≧ 4×103
──────
1 D'autres spécifications sont disponibles sur demande.

A.13 Moyenne de points

1. Les densités des puits de gravure de dislocation sont mesurées en 13 points.

2. La moyenne pondérée par zone des densités de dislocation est calculée.

Mesure de superficie B.DF (en cas de garantie de superficie)

1. Les densités de puits de gravure de dislocation de 69 points indiqués à droite sont comptées.

2. DF est défini comme EPD inférieur à 500 cm–2
3. La surface DF maximale mesurée par cette méthode est de 17,25 cm.2
Substrat InP et CdTe (2)
Substrat InP et CdTe (1)
Substrat InP et CdTe (3)

Spécifications communes des substrats monocristallins InP

1.Orientations
Orientation de la surface (100)±0,2º ou (100)±0,05º
L’orientation hors surface est disponible sur demande.
Orientation du plat OF : (011)±1º ou (011)±0,1º IF : (011)±2º
Cleaved OF est disponible sur demande.
2. Un marquage laser basé sur la norme SEMI est disponible.
3. Des forfaits individuels ainsi que des forfaits en gaz N2 sont disponibles.
4. La gravure et l'emballage dans du gaz N2 sont disponibles.
5. Des plaquettes rectangulaires sont disponibles.
Les spécifications ci-dessus sont conformes à la norme JX.
Si d'autres spécifications sont requises, veuillez nous contacter.

Orientation

 

Substrat InP et CdTe (4)(1)
Lieu de travail Semicera
Lieu de travail Semicera 2
Machine d'équipement
Traitement CNN, nettoyage chimique, revêtement CVD
Entrepôt Semicera
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