Les pièces solides en CARBURE DE SILICIUM CVD sont reconnues comme le principal choix pour les anneaux et bases RTP/EPI et les pièces de cavité de gravure plasma qui fonctionnent à des températures de fonctionnement élevées requises par le système (> 1 500 ℃), les exigences de pureté sont particulièrement élevées (> 99,9995 %) et les performances sont particulièrement bonnes lorsque la résistance aux produits chimiques est particulièrement élevée. Ces matériaux ne contiennent pas de phases secondaires au bord des grains, leurs composants produisent donc moins de particules que les autres matériaux. De plus, ces composants peuvent être nettoyés en utilisant du HF/HCl chaud avec peu de dégradation, ce qui entraîne moins de particules et une durée de vie plus longue.