Palette en carbure de silicium de haute pureté

Brève description :

La palette en carbure de silicium de haute pureté Semicera est conçue pour les applications avancées de semi-conducteurs, offrant une stabilité thermique et une résistance mécanique supérieures. Cette palette SiC garantit une manipulation précise des plaquettes, ce qui en fait un choix idéal pour les environnements à haute température. Contactez-nous pour toute demande de renseignements !


Détail du produit

Mots clés du produit

Semicera haute puretéPalette en carbure de siliciumest méticuleusement conçu pour répondre aux exigences strictes des processus modernes de fabrication de semi-conducteurs. CePagaie en porte-à-faux SiCexcelle dans les environnements à haute température, offrant une stabilité thermique et une durabilité mécanique inégalées. La structure SiC Cantilever est conçue pour résister à des conditions extrêmes, garantissant une manipulation fiable des plaquettes tout au long de divers processus.

L'une des innovations clés duPagaie SiCest sa conception légère mais robuste, qui permet une intégration facile dans les systèmes existants. Sa conductivité thermique élevée contribue à maintenir la stabilité de la tranche pendant les phases critiques telles que la gravure et le dépôt, minimisant ainsi le risque d'endommagement de la tranche et garantissant des rendements de production plus élevés. L'utilisation de carbure de silicium haute densité dans la construction de la palette améliore sa résistance à l'usure, offrant ainsi une durée de vie opérationnelle prolongée et réduisant le besoin de remplacements fréquents.

Semicera met fortement l'accent sur l'innovation, offrant unePagaie en porte-à-faux SiCqui non seulement respecte, mais dépasse les normes de l'industrie. Cette palette est optimisée pour une utilisation dans diverses applications de semi-conducteurs, du dépôt à la gravure, où la précision et la fiabilité sont cruciales. En intégrant cette technologie de pointe, les fabricants peuvent s’attendre à une efficacité améliorée, à des coûts de maintenance réduits et à une qualité de produit constante.

Propriétés physiques du carbure de silicium recristallisé

Propriété

Valeur typique

Température de travail (°C)

1600°C (avec oxygène), 1700°C (environnement réducteur)

Contenu SiC

> 99,96%

Contenu Si gratuit

< 0,1%

Densité apparente

2,60-2,70 g/cm3

Porosité apparente

< 16%

Résistance à la compression

> 600 MPa

Résistance à la flexion à froid

80-90 MPa (20°C)

Résistance à la flexion à chaud

90-100 MPa (1 400 °C)

Dilatation thermique à 1 500 °C

4,70 10-6/°C

Conductivité thermique à 1200°C

23 W/m•K

Module élastique

240 GPa

Résistance aux chocs thermiques

Extrêmement bien

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Lieu de travail Semicera
Lieu de travail Semicera 2
Machine d'équipement
Traitement CNN, nettoyage chimique, revêtement CVD
Entrepôt Semicera
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